MATERIAL SCIENCE SERVICE

汎銘科技 AI晶片分析平台

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汎銘科技股份有限公司公司簡介

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Form No. Q4-MA01 Ver.1.2

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汎銓科技2026年成長四大引擎

完成全球佈局，台灣+大陸+美國
+日本，2026年將同步快速成長

「矽光子工程處」除了已經自己研發組裝的3台矽光子分析設備（已獲台灣、日本、美國專利），也將因應客戶需求，並規劃於2026年進一步推出可供量產端(PD)與品質驗證(QA)使用的矽光子測試設備，正式由服務延伸至設備銷售，拓展新營運模式。

汎銓在埃米世代的技術深化

由於先進製程已進入埃米世代，汎銓科技持續深耕及專研先進分析技術，包括MOR材料分析及APT。並已完成建構SAC-TEM Center，近期已通過客戶稽核認可，將開始運營貢獻業績。

MOR 極致敏感材料分析

切入 High-NA EUV 材料分析領域
建立新世代先進材料分析技術

APT 原子級分析技術

提供原子尺度材料組成與缺陷解析能力
築起分析技術天花板

APT：原子級精度的先進製程材料分析技術 EDN
TAIWAN

作者：汎銓科技

類別：設計備密
2025-12-09
(8)評論

原子針尖斷層影像儀(APT)具備原子級空間解析與高靈敏度化學分析能力，能精確重建三維原子分佈，以因應先進製程與埃米級材料分析挑戰...

SAC-TEM 的廠房落成與設備設置

最高等級TEM的設置，全面提升材料分析能力

支援先進製程研發與量產需求

SAC廠房建設展現世界級的材料分析設施標準，具備完整的環境控制系統與精密儀器安裝空間。廠房設計符合半導體產業對於振動控制及電磁屏蔽的嚴格要求。

疊加上原專利佈局，築起汎銓技術壁壘之高牆

汎銓的低損傷分析技術，是取得晶圓代工絕對優勢的關鍵。

Tier-1 AI巨頭：竹北「AI客戶專區」持續擴張

Tial-1 AI客戶專區擴展

Tial-1的AI客戶在已汎銘合作設立「AI專區」。並持續擴大規模。隨著人工智慧晶片需求爆發性成長，相關的先進封裝與異質整合分析需求大幅增加，汎銘已成為美國主要AI晶片廠商的關鍵合作夥伴。

獨立專區：提供最高規格保密及優先產能
強勁需求：Tier-1巨頭需求持續擴大
核心研發：參與最先進AI晶片/矽光子之早期開發

MIS

MATERIAL SCIENCE SERVICE

矽光子檢測、分析與銷售

矽光子設備
	MSS HG	Eriitech Night Jar
載台(Prober)外掛模組名稱	光損偵測裝置	高光譜成像技術感測模組
載台(Prober)外掛模組
內部硬體組成	IR OM + IR 影像感測器	IR OM + IR 影像感測器
載台(Prober)外掛模組
軟體組成	成像軟體	成像軟體
中華民國
第I870008B號		HG Tester內部
有相似模組

汎鉍廠內自用設備實況

這圖示可完整比較出

☑ 汎鉍訴求的是紅色框內的侵權物件
☑ 藍色框內物件與本次侵權爭議無關

銷售版 (機構示意圖)

產業趨勢 (AI + 光通訊)

AI資料中心高速成長（800G → 1.6T）
矽光子（SiPh）與CPO成為主流架構
光通訊良率與可靠度成關鍵瓶頸

技術關鍵（產業痛點）

光損（Optical Loss）無法精準定位
無法進行後續失效分析（FA）
影響SiPh與CPO量產良率

☑ 光損定位 = 矽光子FA的入口技術

汎銓核心優勢

☑ 光損偵測裝置（專利布局）

台灣 / 日本 / 美國
☑ 自研設備（已建置）
已完成3台設備並導入客戶

MSS 全球佈局運營

草根檀葉
上海辦公室

MA
南京廠房

MA
深圳廠房

JA
川崎廠房

台灣總部本部
FA/SA/砂光子 MA

MA/FA
Sunnyvale 廠房

竹北營運二廠（建築中）
MA/FA/AI專區

竹北營運二廠
MA

竹北營運一廠
FA/AI專區

RA驗證中心
RA

南科廠房
MA

SAC-TEM Center
MA (14A/10A)

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半導體設備/材料研發

| 先進製程設備導入 | 在海外優先抓住設備商的源頭研發，
在台灣承接量產驗證，納全半導體的開發週期 | 美系設備商 | 日系設備商 |
| --- | --- | --- | --- |
| 階段一
設備／材料
Path Finding | 研發中心 Path Finding
• 設備商(例如 Txx、Lxx 等)在各自的研發中心開發 Etch 等機台
• 定義機台參數與規格
• 定義製程能力(Process Window)與選擇配合材料 | 美國矽谷
(研發中心) | 日本大東京灣地區
(東京、橫濱、川崎、筑波…) |
| 階段二
RD FAB 設備
材料導入與驗證 | 客戶端 DEMO 與參數優化
• 原型機台搬到接近客戶端所在區域
• 由客戶RD工程師實際操作
• 優化客戶自己的參數與配合材料
• 比較產能、良率、CD 控制、粗糙度等指標，決定機台/標準 Recipe | 新竹
(研發FAB) | 新竹
(研發FAB) |
| 階段三
台灣量產FAB量產導入
& 逐台PRS Check | 技術移轉到量產FAB
• 量產FAB建立與研發FAB一致的品質
• 複製相同材料與製程Recipe
• 每一台新導入設備，需逐台執行PRS
(Process Release Spec)
• 確認與研發FAB基準設備在關鍵指標(CD、輪廓、缺陷、產能…)上表現一致後，才納入正式量產排程 | 新竹/台南/台中
(量產FAB) | 新竹/台南/台中
(量產FAB) |

汇鈺分析技術分類與成長性

分類	屬別	技術名稱	MSS 強項	2024 Q4 累增占比	2025 Q4 累增占比	2026 -2027 英望預期成長幅度
先進製程（A^{0}世代）	MA	光阻保護技術	第三代EEV光阻保護技術	54.6% (季) 9132 萬/月	47.4% (季) 9271 萬/月	→
MA	先進光阻保護技術
MA	選擇性沉積試片製備技術/先進材料測試平台
MA	Low-d 保護技術	BEDL: Low-d 結構保護技術
MA	BEDL: Low-d 作電線偏分析技術
MA	新穎三維(2D)材料分析方式
MA	超薄試片工法	超薄試片保護工法
MA	P2DL: GAA 抽初副產物價值分析
MA	BEDL: ALE 抽初副產物比較平台/級準抽初深度驗證技術
MA	高深度比結構TEM分析技術
MA	自動量測	利用人工智能適用於自動量測的方式/抽初深度形貌數據化分析平台
成熟製程	MA	透鏡熔高/透鏡defect	光學天件分析技術: 透鏡熔高/透鏡defect	12.7%(季) 2120 萬/月	7.7%(季) 1512 萬/月	→
MA	量氣式装置AR/VR產品鏡片整合分析
MA	化合物半導體	高晶振陷量化分析技術
MA	化合物半導體平氣子濃度分佈影像
MA	整合型應力分析技術
MA	GLED	超低對比結構材料分層顯像技術
MA	CCL/FCCL	新性材料切片技術
MA	化合物半導體	一般材料分析(SEM/FIB CS/Reversed MA/SIMS)
IC 故障分析	FA	化合物半導體	高壓高溫量測(1000V 300C)	10.1%(季) 1694 萬/月	7.9%(季) 1543 萬/月	→
FA	電性超薄低品製備技術
FA	電路移轉技術	頂變引線技術
FA	Backside頂變引線技術
FA	外銷多顆被動天件技術
FA	級準永恆高解REM技術
FA	F11pchip backside FIB技術/3nm IC backside
FA	一般故障分析(decay/delacer/電性/CRD/IC Reverse/SAT/3D Xray/RA)
矽光子&AI晶片	MA	矽光子熔鑄	矽光子/大面積快速切削/導電/低浮感製備	6.3%(季) 1063 萬/月	7.8%(季) 1524 萬/月	→
FA	矽光子光電測試	矽光特性、光束的檢測/波導/ulens
FA	矽光子矽光陰異常定位、銅陰、滴光檢測
FA	光速封裝	PF1B/hybrid metal bond/TSV分析技術	1063 萬/月	1524 萬/月	→
FA	光速製程IC版	3nm製程去層次技術/ion to ion 定位/C beam probe 離子束前製備技術
FA	光速封裝	A型IC封裝與截板分離技術/TM2-TM0 銅陰/Thermal xyz 定位/3D Xray/英顆BGA重
海外	MA	特殊ALD 鍵圈/超薄試片技術	先進光阻保護/low-k結構保護/高深度TEM 等技術	16.2%(季) 2716 萬/月	29.1%(季) 5697 萬/月	→
2716 萬/月	5697 萬/月	→
矽光子測試設備IIG銷售	設備銷售	「光顯偵測裝置」技術	已自組3台設備穩定幅將多家客戶矽光子研發分析、擴展業務模式以既有技術組裝量產所需設備銷售給客戶			···