Accelink Technologies Co., Ltd. — Capital/Financing Update 2013

Dec 8, 2013

武汉光迅科技股份有限公司非公开发行 A 股股票募集资金投资项目可行性分析报告

武汉光迅科技股份有限公司

非公开发行A 股股票募集资金投资项目可行性分析报告

一、本次发行募集资金投资项目的基本情况

本次非公开发行股票拟募集资金总额不超过63,000万元，在扣除发行费用后 实际募集资金净额将用于投资以下项目：

单位：万元

			单位：万元
序号	项目名称	投资 总额	拟使用 募集资金额
1	宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目	60,963.00	60,963.00
合 计		60,963.00	60,963.00

若实际募集资金净额少于投资项目的募集资金拟投入金额，则不足部分由公 司自筹资金解决。本次募集资金到位前，公司可根据项目实际进展情况以自筹资 金先行投入，募集资金到位后，公司将以募集资金置换前期已投入的自筹资金。

二、本次发行募集资金投资项目建设的背景和目的

（一）项目概况

本次募投项目使用土地面积10,275.00 平方米，新增建筑物面积38,827.00 平方米，购置各类主要设备约500 台/套。公司将以光电子芯片技术为龙头，针 对数个市场急需的目标产品进行产业化，本次募投项目的目标产能为年产 150.60 万只10G 发射器件、年产84.00 万只10G 接收器件、年产4.80 万只25G 发射器件、年产0.96 万只40G 接收器件。

本次募集资金投资项目由公司实施，建设期为2 年。

（二）项目建设的背景

1、信息化、宽带化成为国际潮流

在信息技术发达，宽带服务不断拓展的今天，各国政府都把信息化、宽带化 建设作为政府的重要任务之一。

奥巴马政府2009 年批准的经济刺激计划中，宽带网建设是其经济振兴计划 的五项内容之一，安排了72 亿美元用于宽带补贴和借贷计划。欧洲国家作为发

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达国家，宽带普及率相对落后。近年来，欧洲经济大国也越来越重视光纤接入的 部署。法国政府在2010 年初提出一项价值20 亿欧元（约合28 亿美元）的国家 宽带贷款项目，欧洲第一大运营商德国电信为了加速推动德国的光纤业务发展， 2012 年8 月宣布计划独自成立一个光纤到户业务子公司。

日本是全球光纤到户发展最好的国家，日本政府将FTTH（光纤到户）的普 及程度视为社会信息化先进程度的标志，为此日本政府提出了从“e-Jpan（为信 息化建设奠基）”到“u-Japan（创造上网环境）”再到“i-Japan（转动公共部门 的网络齿轮）”等ICT（信息通信技术）战略，积极推动FTTH 的发展。

韩国是全球FTTX（光纤接入）普及率最高的国家（50%左右），而韩国家庭 宽带普及率在95%左右。韩国宽带高速发展主要得益于韩国政府的政策支持，然 而，韩国政府并不满足已取得的成绩。韩国政府曾发布宽带发展策略“Korean Broadband Plan”和“绿色IT 国家战略”等国家战略进一步推动信息化发展。 全球信息化、宽带化的浪潮为光通信市场带来了重要的发展契机。目前，光 纤通信技术在整个基础网络的建设中得到广泛而普遍的应用，承载了全球80%以 上的通信业务，形成了每年上百亿美元规模的光纤通信硬件设备市场。其中，占 全产业链总产值70%以上的光电子器件产业可以被称为光通信产业的心脏，必将 迎来新一轮的发展。

光迅科技作为在光电子器件领域销售规模国内第一，国际上排名第六的公 司，将作为受益者在新一轮行业发展中获得进一步成长的机会。

2、“宽带中国战略”为国内光电子器件行业提供了难得的发展机遇、也提 出了更高的要求

在上述全球信息化、宽带化的大背景下，工信部在2012 年两会上提出了“宽 带中国战略”。 “宽带中国战略”的制定，对我国光通信和光电子器件行业的发 展将起到至关重要的推动作用。

工信部在2012 年2 月已正式发布了“宽带中国•光网城市”战略，以光纤到 户为核心，构建“百兆入户、千兆进楼”的高性能网络，积极实践和推动以PON （无源光网络）为基础的FTTX 网络建设，迅速实现规模运营。

“宽带中国战略”的制定，为国内光电子器件行业提供了难得的发展机遇； 但同时，“宽带中国战略”的实现也依赖于我国光电子器件技术的进步、产品性

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能与可靠性的进一步提高。

3、4G 时代的来临进一步提升光电子器件行业发展空间

随着4G 时代的来临，光通信产业可谓风生水起，再次迎来了前所未有的机 遇。据估计，4G 的启动可以带来达到2,000 亿以上规模的光通信市场。从目前 的情况来看，无线通信向LTE 发展的方向已相当明确。作为新一代通信技术的 LTE 意味着更灵活的系统部署、更短的等待时间、更高的用户数据速率和频谱效 率、系统容量和覆盖的改善以及运营成本的降低。Juniper Research 预计2015 年LTE 收入将突破2,000 亿美元大关。

就国内而言，据统计，中国移动未来4 年内将新建80 万个4G 基站，从而 使4G 基站总数量达到100 万个；中国电信未来4 年的建站总数也将达到60 万 个。据估算，2013 年国内LTE 光模块市场容量为5.4 亿元，用量超过180 万套， 并在接下来的几年中以超过20%的增长率向上攀升。

如果说4G 是移动互联网的“高铁”，那么基站和传输就分别是“车站”和“铁 轨”，占4G 网络总投资的90%左右，而光模块则是基站和传输的最核心部件。因 此，4G 时代电信运营商对基站和传输的投资必将惠及光电子器件行业，这将为 光迅科技这样的光电子器件公司带来难得的发展机遇。

4、项目的提出与用“芯”布局未来

全球信息化、宽带化已经成为未来社会发展的趋势，加之4G 时代的来临、 我国“宽带中国战略”的提出，这些都为国内光电子器件行业的发展带来了巨大 的推力。如何牢牢把握行业面临的巨大机遇，是光电子器件企业面临的当务之急。

据统计，2012 年全球光传输设备领域中国厂商占到了40%的份额，光接入网 设备领域中国厂商占到了75%的份额，但是在光电子芯片与器件领域中国厂商只 占到了25%的份额，从份额比例上来看极不对称。而即使是仅有的25%份额中， 绝大部分集中在中低端芯片及器件，中高端芯片及器件大部分被国外厂商所垄 断。

在光电子器件实际生产中，光电子器件的芯片成本占比通常在30-50%，高 端光器件中芯片成本甚至在50%以上。光迅科技作为我国通信光电子器件研究开 发、生产销售的龙头企业，虽然在核心的光电子芯片技术上是国内产业化最成功 的企业，但产品仍主要集中于2.5G 以下的中低端芯片上，未来的市场竞争迫使

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公司必须在中高端光电子芯片上取得突破。

另一方面，市场在对光电子器件需求不断增大的同时，对芯片及其器件的要 求也越发向10G、40G 及以上高速率芯片及器件转移。在此背景下，公司必须及 时调整产品结构，大力发展中高端、高速芯片技术及产品，以适应世界主流通信 技术发展的要求，才能继续保持行业领先地位，增强公司持续发展和持续经营能 力。

面对上述市场需求，公司作为国内光电子器件的龙头企业，以发展“中国芯” 为历史己任，计划用“芯”布局未来：公司拟提出建设宽带网络核心光电子芯片 与器件产业化项目，通过生产具有自主知识产权的中高端光电子芯片并以此为核 心生产中高端光电子器件，将公司多年的研发成果进行产业化，以满足国内及全 球信息化、宽带化对中高端光电子器件日益增长的需求。

（三）项目建设的目的

1、顺应公司技术垂直整合、加强协同效应的发展思路

公司一直坚持从“芯片-器件-模块-子系统”的技术垂直整合之路。

公司在自身技术平台发展的基础上，通过广泛开展与国内外的优势研究机构 和大学的交流与合作开展自主研发，并对关键产业链和关键技术平台通过实施并 购重组等方式，加快技术切入，提高在光电子芯片与器件行业内的技术整合实力。

公司2012 年通过收购WTD（即武汉电信器件有限公司）完成了对有源光器 件的产业整合，此次收购后公司产品覆盖了有源、无源以及光电混合的全系列各 类光器件和模块，企业竞争力得到了大幅提升。2013 年上半年，在自主研发的 同时，公司加强了整合上游芯片的力度，收购了IPX （即丹麦Ignis Photonyx A/S 公司，收购后更名为光迅丹麦有限公司）。通过此次收购，公司获得了基于PECVD （等离子体增强化学气相沉积法）的芯片设计制造核心技术。

本次募集资金投资项目——宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目主 要是针对有源芯片为核心的光器件产业化，项目的核心内容是建设具有自主知识 产权的中高端有源芯片制造能力，并以此为基础生产中高端有源光器件，是公司 执行技术垂直整合思路的重要一步。

本次募投项目的实施，不仅能够进一步提升公司在光电子芯片与器件方面的 技术水平和生产能力，同时还能够带动公司光有源器件的工艺水平和生产制造能

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力的提升，推动相关产品线进行垂直整合，对提高公司的总体竞争能力、整体发 展水平和盈利能力起到极大的促进作用。

本次募投项目实施之后，公司将形成更完整的、从有源到无源的“芯片-器 件-模块-子系统”垂直一体化产业链，协同效应更为显著。

2、顺应公司光电子器件智能化、集成化的产品发展思路

公司始终坚持在专业技术研发、应用技术研发的基础上，进一步拓展集成化 技术研发。公司鼓励具有自主知识产权的原创性技术研究，倡导跨专业的技术集 成，强化光电子器件集成化和系统化的开发，结合市场需求和产业经济要素，重 点开展光电子器件技术与应用、高效低成本制造技术、专业化工艺作业与过程控 制体系等项目的研发，探索实现光电子器件技术升级的有效途径，顺应行业技术 进步的趋势和潮流。

本次募投项目的实施将进一步提升公司在中高端有源芯片方面的生产工艺 水平和产业化规模，为公司未来拓展基于中高端核心光电子芯片技术的高智能 化、高集成化产品打下坚实的基础，顺应了公司光电子器件智能化、集成化的产 品发展思路。

3、顺应不断升级的市场需求

随着单通道传输速率的提高和密集波分复用技术的广泛应用，基础光传送网 络已经拥有巨大的原始带宽资源，光纤通信在进一步追求高速大容量干线传输的 同时，逐步向以智能化、集成化、低成本和高可靠性为特征、以城域网和接入网 (光纤到户)为发展重点、以全光通信为远景的新一代光通信网络演进，通信和信 息产业领域中新一轮的国际竞争正在酝酿之中。

无论是高速光传输技术、密集波分复用技术，还是宽带光纤接入技术和全光 网络技术，总体上讲光纤通信系统的发展和推广应用无不取决于光电子器件技术 的突破与实用化。

基于上述不断升级的市场需求，公司拟通过本次募集资金投资项目将产品线 从主要集中于2.5G 以下的普通FP-LD、DFB-LD、PIN、APD 等类型上，逐渐扩大 升级至10G、40G 及以上速率的中高端产品，以升级产品结构，顺应不断升级的 市场需求。

4、顺应国际竞争及自身发展的需要

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无论是光无源器件还是光有源器件，掌握中高端的芯片技术是在国际竞争中 取胜的关键环节。

光迅科技作为我国通信光电子器件研究开发、生产销售最具影响的单位之 一，公司在中高端、高速光电子芯片技术上已完成技术积累，必须尽快实施大规 模产业化，才能继续保持行业领先地位，获得持续发展的机遇。

通过本次募投项目的实施，公司拟进一步扩大中高端光电子芯片及其器件的 生产规模，扩大在国内乃至国际光通信设备市场的份额，大力推动我国光通信产 业的发展，显著提升我国在光通信设备制造领域的核心竞争力。

本次募投项目的实施也将能够进一步增强公司光电子芯片与器件领域在技 术、管理、生产上的竞争实力，从根本上提高相关产品的工艺技术水平与核心竞 争能力，保持良好的持续盈利能力。

三、本次发行募集资金投资项目建设的可行性

（一）项目市场前景

1、国际市场发展趋势

2013 年全球光电子器件市场收入实现稳定增长，全球光通信市场的复苏好 于预期，全球电信运营商收入的回升支撑了他们进行新一轮网络投资，光通信产 品销售在海外市场也迅速上升，未来市场前景乐观，短期预测季度增长率将在 5%到10%之间（来源：讯石光通讯咨询网）。从电信市场投资规律来看，接下来 将是一个五年的投资周期，因此可以预见全球电信投资的增长将带动全球光电子 器件市场未来五年的稳定发展。

根据市场咨询公司OVUM 的预测，未来5 年，光电子器件市场将持续增长， 中性预计到2018 年将达到105 亿美金，年复合增长率达到6%。

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资料来源：Ovum 咨询顾问公司

2、国内市场发展趋势

2013 年以来，4G 建设的推进以及运营商大力部署光纤宽带网络、带宽升级， 为光电子器件市场带来了旺盛的需求，从而推动光电子器件市场收入保持快速增 长。在运营商与系统设备商加大对光电子器件采购的推动下，中国光电子器件厂 商订单状况良好，市场收入保持较快增长。

2013 年8 月1 日，国务院已经正式发布了“宽带中国战略”以及实施方案。 方案中明确了发展时间表：

方案中明确了发展时间表：	方案中明确了发展时间表：	方案中明确了发展时间表：	方案中明确了发展时间表：	方案中明确了发展时间表：
“宽带中国”发展目标与发展时间表
指标	单位	2013 年	2015 年	2020 年
1.宽带用户规模
固定宽带接入用户	亿户	2.1	2.7	4.0
其中：光纤到户（FTTH）用户	亿户	0.3	0.7	——
其中：城市宽带用户	亿户	1.6	2.0	——
农村宽带用户	亿户	0.5	0.7	——
3G/LTE 用户	亿户	3.3	4.5	12
2.宽带普及水平
固定宽带家庭普及率	%	40	50	70
其中：城市家庭普及率	%	55	65	——
农村家庭普及率	%	20	30	——
3G/LTE 用户普及率	%	25	32.5	85
3.宽带网络能力
城市宽带接入能力	Mbps	20（80%用户）	20	50
其中：发达城市	Mbps		100（部分城 市）	1000（部 分用户）
农村宽带接入能力	Mbps	4（85%用户）	4	12

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大型企事业单位接入带宽	Mbps		大于100	大于1000
互联网国际出口带宽	Gbps	2500	6500	——
FTTH 覆盖家庭	亿个	1.3	2.0	3.0
3G/LTE 基站规模	万个	95	120	——
行政村通宽带比例	%	90	95	＞98
全国有线电视网络互联互通平台 覆盖有线电视网络用户比例	%	60	80	＞95

上表对到2020 年的城市用户带宽接入速度、农村接入速度、宽带开通率等 指标都作了详细的规定。 未来几年“宽带中国”战略的实施，将极大地推动固 网接入、无线接入、传输骨干网的基础建设。中国光通信业又将迎来一轮的投资 高峰。

目前我国通信网络中，骨干传输网和FTTX（光纤接入）的全面升级扩容， 4G 无线接入网和未来数据网络的发展，共同构成了对光电子器件的庞大需求。

（二）项目建设的有利条件

1、项目符合国家产业政策

光电子器件是光传输设备的基础元器件，为光通信系统最重要的组成部分。 我国政府和行业主管部门历来都对光电子器件行业的发展十分重视，为了提高和 加强行业内企业的技术和产品竞争力，国家和有关部门在过去的二十多年里制定 了许多相应的产业政策和措施支持光电子器件行业的发展。

国家发改委发布的《产业结构调整指导目录》（2011 年本）中将“二十八 信 息产业”之“21、新型电子元器件（片式元器件、频率元器件、混合集成电路、 电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷 电路板和柔性电路板等）制造”列为鼓励类发展产业；工业和信息化部编制的《电 子信息制造业“十二五”发展规划》是电子信息制造业发展的指导性文件，其中 明确指出“推进智能光网络和大容量、高速率、长距离光传输、光纤接入（FTTx） 等技术和产品的发展。„„支持„„光多片集成组件、光电集成芯片、高速数模 芯片等高端芯片的研发。”；依据《国家中长期科学和技术发展规划纲要 （2006-2020 年）》，以下三个方面：一、“制造业领域”的 “新一代信息功能材 料及器件主题（32）”；二、“信息产业及现代服务业领域”的 “下一代网络关键 技术与服务主题（41）”；三、“前沿技术中的“新材料技术领域（3）”的“新一 代光电信息材料”均被列入到重点领域中的优先主题。本次募投项目涉及的产品

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均在国家计划大力发展的新兴产业之中。

此外，《国务院关于大力推进信息化发展和切实保障信息安全的若干意见》 （国发〔2012〕23 号）、《“十二五”国家战略性新兴产业发展规划》和《“宽带 中国”战略及实施方案》等国家规划和政策均对光电子器件行业的发展起到了重 要的指导和支持作用。

本次募投项目拥有较高的技术含量和创新性，有可靠的组织保障，能够产生 较好的经济效益和社会效益，提高信息产业自主创新能力，增强核心竞争力，带 动区域经济发展，完全符合国家高技术产业发展的原则、目标。 2、项目实施具有良好的基础条件

（1）相关产品开发时间早、技术基础雄厚

公司是国内最早最大的光纤通信用光电子器件——长波长激光器的制造商 和供应商。公司从80 年代起开发、生产、销售光通信用半导体激光器组件、发 光二极管、探测器组件、光发射/接收模块、光收发合一模块等，具备从芯片到 器件、模块的全系列产品的研究开发和生产加工能力。产品基本覆盖用于传输、 接入和数据通信的各种速率、不同封装的光电气器件产品，主要应用于传送网、 接入网和数据通信等。公司是中国主流的光电子器件制造商和供应商之一，在国 际上享有相当的知名度和影响力，产品出口到欧洲、美国、日本、韩国、俄罗斯 等地。

在与WTD 整合后，公司产品覆盖了有源、无源以及光电混合的全系列各类 光电子器件和模块，企业竞争力得到了大幅提升。2013 年11 月25 日，NTR（网 络电信信息研究院）公布了2013 年中国光通信各领域最具竞争力企业十强榜单， 公司继续蝉联中国光电子器件与辅助设备最具竞争力企业十强榜第一名，进一步 拉开了与排名第二企业的距离，牢固保持领先地位。同时，在全球光电子器件与 辅助设备竞争力排名十强榜单中排名升至第七位，较去年上升两位，表现出强大 的发展后劲。

（2）相关产品商用化时间早、产品系列齐全

经过多年开发和产品转化，公司光电子芯片与器件产品形成了较为完善的产 品系列，已经大量生产销售，树立了良好的品牌效应。公司研制开发的光电子核 心芯片已经大量应用于光纤到户接入网等领域。从2004 年以来，公司自制的

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1310/1550nm FP 激光器和PIN 探测器已经批量应用于公司各种器件、模块产品 中，其中1310/1550nm FP 激光器、PIN 探测器、1310/1490/1550nm DFB 激光器、 2.5G APD 探测器已经批量应用于全球光网络。大部分研究成果已经顺利的完成 了相关产品的二次开发并且成功转化，取得了良好的经济效益。

（3）客户基础稳定、产品二次开发能力强

公司一直致力于光纤通信系统用各种光电子芯片与器件的开发和生产，因此 具有较强的成本控制能力和市场应变能力，产品性能稳定可靠，可与国际同类产 品相媲美，具有良好的性能价格比优势，拥有稳定的客户群和完善的销售体系。 这些都为产品的生产、销售奠定了良好的基础。

公司的二次开发和功能集成技术基础雄厚，具有大量前期研究开发成果。公 司在“十五”期间先后承担了高速率分布式反馈激光器芯片、高速电吸收激光器 芯片等多项国家“863”计划项目，推出了一系列智能化的光模块及器件产品。

（4）生产工艺管理严格，产品的稳定性好、可靠性高

公司光电子芯片与器件产品通过了Telcordia 可靠性试验，产品质量稳定可 靠，其中各种激光器及光模块还通过了CE、UL、TUV，FDA 和FCC 等系列认证。 相关产品具有良好的稳定性和可靠性，为顺利走向国际和国内市场奠定了良好的 基础。

（5）研发创新能力强，已完成本次募投项目产品的技术积累

光迅科技在PLC、AWG 等关键无源器件和155M-10G 等中端光电子芯片上均已 能实现自研自产，在10G-40G 中高端光电子芯片上已完成技术积累。光电子芯片 的核心技术主要包括量子阱（MQW）材料外延生长，外延结构设计和工艺制作技 术。公司经过30 年的发展，在外延结构设计和工艺制作技术以及测试方面获得 了长足的进步，积累了丰富的经验。公司已经主导完成无致冷155Mb/s 以及 2.5Gb/s、10Gb/s 1.3 μ m/1.5 μ m MQW-FP-LD 及1.3 μ m/1.5 μ m MQW-DFB-LD， 10Gb/s InGaAs/InP APD 等重大项目的研发工作。承担了九五国家“863 计划” 项目“大容量CATV 发射器件及模块产品开发”，十五国家“863 计划”项目“10Gb/s 直接调制多量子阱DFB 激光器及组件”等科研项目。芯片生产量产化的工艺研究 已经完成2 英寸外延片的制作工艺及工艺线的初步建立。目前，公司已成为国内 唯一一家能批量推广应用自制芯片的光电子器件公司。

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本次募投项目形成的产品均符合Telcordia GR-468-CORE:2004 和 MIL-STD-883H(2010)国际标准以及相关产品国际规范，具有自主的知识产权，技 术也完全成熟。公司已经为本次募投项目产品完成了技术积累。

3、公司拥有良好的质量管理体系，在国际国内市场有较高的知名度

在质量管理方面：公司建立了完善的质量保证体系，在产品设计开发、生产 管理、销售服务等各个环节规范化运行，提高了工作效率和产品质量及服务质量。 公司于1999 年1 月通过了ISO9001 质量体系认证，2005 年3 月通过了 TL9000-HR3.0/R35 质量管理体系、ISO14001 ：1996 环境管理体系和 OHSAS18001-1999 职业健康安全管理体系认证。所有产品通过了Telcordia 产品 可靠性标准试验，大大提高了产品的可靠性和可信度，产品销往北美、欧洲等国 际市场。

在生产管理方面：公司对生产提供过程进行预先的策划，对合同要求、生产 计划、工艺参数、管理及作业人员、加工设备、检验试验和监视设备、环境条件 保障等所有要素进行控制，使其始终处于受控状态。同时，公司采用了国际上先 进的生产管理经验，如5S 和4M 管理模式，实施了严格的生产现场管理。

上述方面不断提高公司光电子芯片与器件产品的美誉度，使其在国际国内市 场具有较高的知名度。

4、本次募投项目实施地具有优越的地理位置优势

本次募投项目位于武汉东湖高新技术开发区（以下简称“东湖高新区”）。东 湖高新区始建于1988 年10 月，1991 年3 月，被国务院批准为首批国家级高新 技术产业开发区；2000 年7 月，又被科技部、外交部批准为APEC 科技工业园区； 2001 年，被原国家计委、科技部批准为国家光电子信息产业基地，即“武汉•中 国光谷”。“光谷”区域具有良好的技术、人力资源、产业配套和信息资源优势， 公司已经成为“武汉•中国光谷”的骨干企业之一。

（三）项目投资概算

序号	工程或费用名称	投资额(万元)	占投资总额比例
1	建设投资	49,267	80.81%
1.1	工程费用	43,265	70.97%
1.2	其它费用	1,523	2.50%

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1.3	预备费用	4,479	7.35%
2	铺底流动资金	11,696	19.19%
3	总投资	60,963	100.00%

（四）项目预计实现的经济效益

本次募投项目总投资60,963 万元，项目建设期为2 年，全部达产后预计新 增产品年销售收入76,308.00 万元，年新增利润总额13,871.00 万元，预计投资 回收期（税后）6.45 年（含建设期2 年），内部收益率（税后）为16.65%，具有 较好的经济效益。

（五）项目土地、立项、环保等报批事项

项目实施地位于武汉市江夏区藏龙岛开发区谭湖路1 号，武汉光迅科技股份 有限公司光电子产业园内。该产业园占地面积173.3 亩，规划用地面积155 亩， 一期工程已于2011 年底竣工验收。本次募投项目利用光迅科技在光电子产业园 自有空闲土地实施建设，规划占地面积10,275.00 平方米，规划建筑面积共计 38,827.00 平方米。

本次募集资金投资项目目前正在履行立项报批及环保审批相关程序。

四、本次发行对公司经营管理、财务状况的影响

（一）对公司经营管理的影响

本次非公开发行募集资金投资项目的实施，主要目的是进一步丰富公司产品 结构，扩大宽带网络核心光电子芯片与器件生产规模，顺应公司“芯片-器件模块-子系统”的技术垂直整合之路，有利于提高公司的总体竞争能力、整体发 展水平和盈利能力。

（二）财务状况变动情况

本次非公开发行股票将对公司财务状况带来积极影响。公司的总资产与净资 产规模将相应增加，资产负债率和财务风险将进一步降低，公司资本结构将得到 优化，运用债务融资的能力将获得提高，整体财务状况将改善。

（三）盈利能力变动情况

随着本次募投项目的实施，公司业务收入水平会显著增长，盈利能力将得到

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进一步提升，公司的整体盈利能力和抗风险能力显著增强。

（四）现金流量变动情况

本次非公开发行股票完成后，由于特定认购对象以现金认购，公司的筹资活 动现金流量将大幅增加。随着本次募集资金开始投入使用，公司投资活动产生的 现金流出将相应增加。在本次募集资金投资项目建成产生效益后，公司的经营活 动现金流量将相应增加。

（五）对公司负债情况的影响

公司2012 年年末经审计的合并报表资产负债率为41.01%，本次发行后，公 司的资产负债率将有所下降，资产结构有所优化，偿债能力有所提高。公司不存 在通过本次发行大量增加负债（包括或有负债）的情况，不存在负债比例过低、 财务成本不合理的情况。

武汉光迅科技股份有限公司 董事会 二Ｏ一三年十二月六日

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