Hangzhou Silan Microelectronics Co.,Ltd — Capital/Financing Update 2022

Oct 23, 2022

证券代码： 600460 证券简称：士兰微 编号：临 2022-073

杭州士兰微电子股份有限公司

对外投资进展公告

本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大 遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。

一、对外投资概述

1、杭州士兰微电子股份有限公司（以下简称“公司”）与厦门半导体投资 集团有限公司于 2017 年 12 月 18 日在中国厦门共同签署了《关于化合物半导体 项目之投资合作协议》（以下简称“《投资合作协议》”），双方合作在厦门市 海沧区建设一条 4/6 吋兼容的化合物半导体生产线，总投资 50 亿元，其中一期 总投资 20 亿元，二期总投资 30 亿元。根据《投资合作协议》，双方在厦门市海 沧区共同投资设立了厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（以下简称“士兰明 镓”）。

士兰明镓最新的股权结构及实收资本情况如下所示：

股东名称	认缴注册资本（万元）	实缴注册资本（万元）	持股比例（%）
厦门半导体投资集团有限公司	82,925.9	82,925.9	65.28
杭州士兰微电子股份有限公司	44,111.1	44,111.1	34.72
合计	127,037.0	127,037.0	100

2、截至 2021 年底，士兰明镓已完成第一期 20 亿元的投资，形成了每月 7.2 万片 4 英寸 GaN 和 GaAS 高端 LED 芯片的产能，其产品在小间距显示、mini LED 显示屏、红外光耦、安防监控、车用 LED 等领域得到广泛应用。

3、士兰明镓已于 2022 年 7 月正式启动化合物半导体第二期建设项目，即“SiC 功率器件生产线建设项目”。本项目计划投资 15 亿元，建设一条 6 吋 SiC 功率 器件芯片生产线，最终形成年产 14.4 万片 6 吋 SiC 功率器件芯片的产能，其中 SiC-MOSFET 芯片 12 万片/年、SiC-SBD 芯片 2.4 万片/年。

为加快项目的实施，公司已将士兰明镓“SiC 功率器件生产线建设项目”作 为公司 2022 年非公开发行股票预案的募投项目之一。在募集资金没有到位之前， 公司将使用自有资金先行采购部分本项目急需或交货周期长的设备和系统。

4、上述事项详见公司于 2017 年 12 月 19 日、2018 年 1 月 12 日、2018 年 2 月 6 日、2019 年 11 月 9 日、2021 年 11 月 30 日、2021 年 12 月 16 日、2022 年

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2 月 17 日、2022 年 7 月 30 日和 2022 年 10 月 15 日在上海证券交易所网站 （www.sse.com.cn）和《证券时报》《上海证券报》《中国证券报》上披露的相 关公告。

二、投资进展情况

近期，士兰明镓 SiC 功率器件生产线已实现初步通线，首个 SiC 器件芯片已 投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。 士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产 2000 片 6 英寸 SiC 芯片的生产能力。

公司目前已完成第一代平面栅 SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标达到业 内同类器件结构的先进水平。公司已将 SiC-MOSFET 芯片封装到汽车主驱功率 模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。

作为第三代半导体材料的典型代表，SiC 具有宽禁带宽度、高击穿电场、高 热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，是高温、高压、大功率应用场合 下极为理想的半导体器件材料。在新能源汽车领域，SiC 功率半导体主要用于驱 动和控制电机的逆变器、车载 DC/DC 转换器、车载充电器（OBC）等。车载充 电器和充电桩使用 SiC 器件后将充分发挥高频、高温和高压三方面的优势，可实 现充电系统高效化、小型化和高可靠性。

上述 SiC 项目的实施和产品的量产尚存在一定的不确定性，后续公司将根据 项目和产品的进展情况，严格按照有关法律法规的规定和要求及时履行信息披露 义务，敬请投资者注意投资风险！

特此公告。

杭州士兰微电子股份有限公司

董事会

2022 年 10 月 24 日

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