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VPEC Investor Presentation 2026
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Investor Presentation
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公司簡介
MOCVD創造世界級之競爭力
VPEC
核心技術
MOCVD（有機金屬氣相沉積法）
- Metal Organic Chemical Vapor Deposition
VPEC
核心技術
生產機台
MOCVD有機金屬化學氣相沉積法
Metal Organic Chemical Vapor Deposition
生產方式
透過有機金屬化學氣相沉積法，在基板上生長半導體薄膜的方式，同時透過機台即時監控，精確控制磊晶層，完成砷化鎵、磷化銦、氮化鎵等不同產品磊晶片生產。
生產原理
磊晶層是由MOCVD在腔體中加熱基板，一個原子層，層層堆疊，行成磊晶層。
3
VPEC
半導體分類（依使用材料）
| Period | Column II | III | IV | V | VI |
|---|---|---|---|---|---|
| 2 | Be 鍵 | ||||
| Beryllium | B 硼 | ||||
| Boron | C 碳 | ||||
| Carbon | N 氮 | ||||
| Nitrogen | O 氧 | ||||
| Oxygen | |||||
| 3 | Mg 鎂 | ||||
| Magnesium | Al 鉛 | ||||
| Aluminum | Si 矽 | ||||
| Silicon | P 磷 | ||||
| Phosphorus | S 硫 | ||||
| Sulfur | |||||
| 4 | Zn 鋅 | ||||
| Zinc | Ga 鎳 | ||||
| Gallium | Ge 錯 | ||||
| Germanium | As 砷 | ||||
| Arsenic | Se 硒 | ||||
| Selenium | |||||
| 5 | Cd 鎂 | ||||
| Cadmium | In 銅 | ||||
| Indium | Sn 鉻 | ||||
| Tin | Sb 鉻 | ||||
| Antimony | Te 磷 | ||||
| Tellurium | |||||
| 6 | Hg 汞 | ||||
| Mercury | Tl 鉛 | ||||
| Thallium | Pb 鉛 | ||||
| Lead |
二元化合物 Binary : GaAs, InP, GaP,GaN, etc.
三元化合物 Ternary : InGaAs, InGaP, AlGaAs, etc.
四元化合物 Quaternary : AlGaInP, InGaAsP, etc.
五元化合物 Pentanary : AlGaInAsN, etc.
VPEC
磊晶過程中之化學反應
$$\mathrm{Ga(CH_3)_3 + AsH_3 => GaAs + CH_4}$$
化學反應式：
$$\mathrm{In(CH_3)_3 + PH_3 => InP + CH_4}$$
主要原物料：
MO Source + Hydride + Carrier Gas : H2
| TEAl : Tri-ethyl-Aluminum (C₂H₅)₃Al | AsH₃ : Arsine |
|---|---|
| TMGa : Tri-Methyl-Gallium (CH₃)₃ Ga | PH₃ : Phosphine |
| TMIn : Tri-Methyl-Indium (CH₃)₃In | SiH₄ : Silane |
| DETe : Di-ethyl-Tellurium (C₂H₅)₂Te | Si₂H₆ : Disiline |
| DEZn : Di-ethyl-Zinc (C₂H₅)₂Zn | H₂Se : Hydrogen Selenide |
| CP₂Mg : Bis (cyclo-penta-dienyl) Magnesium 環戊二烯鎂 | CBr₄ : Carbon Tetrabromide |
TMAl Tri - Methyl - Aluminum (CH₃)₃Al
三甲基 鋁
$$\mathrm{CH_3 - Al - CH_3}$$
$$\mathrm{CH_3}$
VPEC
化合物半導體材料特性
- High Electron Mobility高電子移動速率(5.7x higher than CM0S)
- High Frequency Response高頻率響應
- Wide Band Width 寬幅之頻寬
- High Linearity高線性度
- High Power高功率
- Alternative Choice of Material材料選擇多元性
- 抗輻射
適用於微電子產品－HBT、pHEMT、BiHEMT、GaN on XX
光電子產品－PIN（PD、APD）、VCSEL、LD、SC、CW-Laser、GaN on XX
6
VPEC
微電子產品 產業供應鏈
Freiberger, Sumitomo, AXT
6 "GaAs Substrate
GaAs Epi-Wafer
MOCVD Reactor
VPEC is a Pure Epi Provider
Wireless Communication
IC Package & Testing
VPEC
光電子產品 產業供應鏈
AXT, Freiberger, JX
2~4 "InP Substrate
InP Epi-Wafer
磊晶片
Optoelectronics
IC Process
MOCVD Reactor
VPEC is a Pure Epi Provider
Optical Transceiver
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VPEC
2023年-2026 Q1年度損益情形
| 2026 Q1 | % | 2025 | % | 2024 | % | 2023 | % | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Revenue | 959,310 | 100% | 3,380,143 | 100% | 3,241,217 | 100% | 2,694,104 | 100% |
| Gross margin | 365,431 | 38% | 1,219,726 | 36% | 1,278,964 | 39% | 1,108,914 | 41% |
| Operating Profit | 226,651 | 24% | 669,263 | 20% | 721,214 | 22% | 542,069 | 20% |
| Non-operating income & expense | 16,944 | 2% | -1,912 | 0% | 96,460 | 3% | -347 | 0% |
| Tax | -48,510 | -5% | -119,409 | -4% | -146,619 | -5% | -91,490 | -3% |
| Net income | 195,085 | 20% | 547,942 | 16% | 671,055 | 21% | 450,232 | 17% |
| EPS | 1.06 | 2.97 | 3.63 | 2.43 |
VPEC
2026 Outlook
01
5G Mobile Penetration
02
WiFi 7
03
V2X
04
IoT Smart Link (4G PA)
VPEC Proprietary and Confidential
VPEC
2026 Outlook
01
Data Center
High Speed Connectivity
PD for 800G
VCSEL for 400G & 800G
02
光電子
03
3D-sening
VR
VCSEL
04
無人機
機器視覺
低軌道衛星
車用光達(LD/PD)
A1 glass
HAMR HDD
VPEC
AI終端覺醒：感知×運算×機動
Al glass
Micro LED
Wi-Fi 7
ToF
Al datacenter
CW-laser
VCSEL
PD
Drone
Solar Cell
Wi-Fi 7
Source: Copilot
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