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Thinkon Semiconductor Jinzhou Corp. Annual Report 2024

Mar 26, 2025

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Annual Report

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锦州神工半导体股份有限公司 2024 年年度报告摘要

公司代码: 688233 公司简称:神工股份

锦州神工半导体股份有限公司 2024 年年度报告摘要

锦州神工半导体股份有限公司 2024 年年度报告摘要

第一节 重要提示

  • 1 、 本年度报告摘要来自年度报告全文,为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规 划,投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。

2 、 重大风险提示

公司已在本报告中详细描述了可能存在的相关风险,敬请查阅本报告“第三节 管理层讨论与 分析 ” 之 “ 四、风险因素 ” 中关于公司可能面临的各种风险及应对措施部分内容。

3 、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、 完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。

4 、 公司全体董事出席董事会会议。

  • 5 、 容诚会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

6 、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利

□ 是 √ 否

  • 7 、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案

公司拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份数为基数 分配利润。本次利润分配方案如下:公司拟向全体股东每 10 股派发现金红利 0.75 元(含税)。公司 总股本 170,305,736 股,扣除回购专用账户 950,416 股,可参与利润分配股数 169,355,320 股,合计拟 派发现金红利 12,701,649 元(含税)。本年度公司现金分红占合并报表中归属于上市公司股东净利 润的比例为 30.87% , 2024 年度公司不送红股、不进行资本公积转增股本。如在实施权益分派的股 权登记日前公司总股本发生变动或实施股份回购,公司拟维持分配总额不变,相应调整每股分配 比例,并将另行公告具体调整情况。本事项已获公司第三届董事会第四次会议审议通过,尚需提 交公司股东大会审议。

  • 8 、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项

□适用 √不适用

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第二节 公司基本情况

1、 公司简介

1.1 公司股票简况

√适用 □不适用

公司股票简况 公司股票简况
股票种类 股票上市交易所及板块 股票简称 股票代码 变更前股票简称
A股 上海证券交易所科创板 神工股份 688233 不适用

1.2 公司存托凭证简况

□适用 √不适用

1.3 联系人和联系方式

董事会秘书 证券事务代表
姓名 常亮 宋梦施
联系地址 辽宁省锦州市太和区中信路46号甲 辽宁省锦州市太和区中信路46号甲
电话 +86-416-711-9889 +86-416-711-9889
传真 +86-416-711-9889 +86-416-711-9889
电子信箱 [email protected] [email protected]

2、 报告期公司主要业务简介

2.1 主要业务、主要产品或服务情况

报告期内,公司抓住下游市场需求回暖的契机,严控成本、加强管理,不仅扩大了大直径硅 材料产品的收入规模,还提高了毛利水平。硅零部件业务,公司的研发投入符合市场需求,市场 推广取得显著进展,营业收入大幅增加,在国产半导体供应链中占据了有利位置。在下游客户面 临技术出口管制导致的供应链风险时,公司发挥了独特的支撑作用,并伴随下游客户的国产化突 破,进一步打开了市场空间。主要情况分别说明如下:

1、大直径硅材料

这一业务板块的产品,按直径覆盖了从14 英寸至22 英寸所有规格,主要销售给中国、日本、 韩国的下游客户,因此也可称之为“集成电路刻蚀用大直径硅材料”。该产品具有国际竞争力, 在技术、品质、产能和市场占有率等方面处于世界领先水平,也是公司的主要营业收入来源。

报告期内,公司大直径硅材料产品生产情况稳定,产能逐步提升中;产品结构继续优化升级, 利润率较高的16 英寸以上产品收入占比进一步提升,从2023 年度的39.01%提升至2024 年度的 51.61%,毛利率为69.19%,对该业务的整体毛利率水平修复和提高有较大贡献。

2、硅零部件

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上述“大直径硅材料”,经过切片、磨片、腐蚀、打微孔、形状加工、抛光、清洗等一系列 精密加工后,最终做成等离子刻蚀机用硅零部件。公司是具备“从晶体生长到硅零部件成品”完 整制造能力的一体化厂商,拥有全球领先的大直径硅材料晶体制造技术,是等离子刻蚀机设备厂 家所需硅零部件产品的上游材料供应商。硅零部件产品具有“品种多、批量小”的特点,具体产 品消耗量依集成电路制造厂商的等离子刻蚀机种类、腔体结构、数量和具体制造工艺所决定,尺 寸越大,设计要求越复杂的产品,对加工能力要求越高,毛利率相对越高。

根据公司自主调研数据,国内硅零部件市场已有25 亿元人民币/年以上的市场规模,以向海 外厂商进口为主。随着全球半导体制造产业链向中国转移的趋势,以及中国本土等离子刻蚀设备 厂商技术水平赶超全球一流,中国市场未来成长性可期。

报告期内,硅零部件产品实现收入11,849.41 万元,同比增长214.82%。目前公司硅零部件 产品整体销售数量不断攀升,其中加工难度较大、价值较高的产品销售占比逐步扩大。公司配合 国内刻蚀机设备原厂开发的硅零部件产品,适用于12 英寸等离子刻蚀机,能够满足等离子刻蚀设 备原厂不断提升的技术升级要求。公司产品的应用,已经从研发机型扩展至成熟量产机型。

为保证未来客户批量订单的及时交付,公司子公司已经在泉州、锦州两地扩大生产规模,实 现了较快速度的产能爬升。

3、半导体大尺寸硅片

公司以生产技术门槛高,市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片为目标,致力于满足该产品 的国内需求。轻掺低缺陷硅片主要用于低电压高性能电子产品,如手机等;而重掺硅片则较多用 于高电压产品,如充电器、家用电器、交通设备、通信设备等。低压产品的设计线宽更小,对硅 片内在缺陷的控制要求更高,且硅片表面一般不做或只做很薄的外延层。轻掺低缺陷抛光硅片可 以应用于8 英寸相对高端的产品制程,拥有较高的附加价值。从全球市场8 英寸硅片总需求上看, 轻掺硅片占全部需求的70%-80%;在12 英寸硅片总需求中,轻掺硅片占比几近100%。公司8 英寸 轻掺低缺陷硅片产品对标日本信越化学公司生产的同类硅片。该款硅片目前市场价格相对较高, 因销售地区、付款条件、客户策略等差异略有不同。

报告期内,半导体大尺寸硅片实现收入702.14 万元。公司持续提升生产管理水平,通过优化 排产计划及厉行节俭措施,在满足国内主流集成电路制造厂商验证需求的条件下,兼顾了经济效 益,为未来更大规模供货打下良好基础。

2.2 主要经营模式

公司主营业务为大直径硅材料、硅零部件、半导体大尺寸硅片及其应用产品的研发、生产和

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销售,其采购、生产、销售模式如下:

1 、采购模式

公司产品生产用原材料、包装材料根据 “ 以产定购 ” 的原则进行采购工作安排。

公司建立了供应商管理体系和供应商认证制度,根据供应商的资质条件、产品质量、供货能 力、服务水平等情况对供应商进行综合评价,将符合条件的供应商纳入合格供应商清单。供应商 进入清单后,公司会基于各部门的反馈以及市场调研情况,定期从产品质量和供货情况等方面对 供应商进行持续评估和认证,根据评估结果调整采购订单的分配,并确保主要原材料有两家以上 合格供应商具备供应能力。

2 、生产模式

公司采取 “ 客户订单 + 自主备货 ” 的生产模式。公司根据客户发送的定制化产品订单情况组织采 购和生产。此外,公司还会结合下游市场需求预测和与客户沟通情况统筹安排备货计划。

公司建立了《产品标识和可追溯管理规定》,每一件产成品均可以通过产品编号检索至单晶工 艺跟踪单,从而获得产品的具体生产日期、质量检验员、生产班组等信息。产品质量的可追溯性 为公司持续改进管理水平和生产工艺提供了重要保障。公司已经通过 ISO9001:2015 标准质量管理 体系认证和 IATF16949 : 2016 汽车行业质量管理体系认证。

3 、销售模式

公司主要采用大客户直销的模式进行销售,营销部负责公司现有客户的维护和潜在客户的开 发。客户发送订单至公司,经公司确认订单条款,双方对产品类型、数量、价格以及交货期等要 素达成一致后按照订单约定履行各自义务。公司根据订单约定交付产品后,将持续跟踪客户产品 到货情况及销售回款情况。

公司下游客户对大直径硅材料及其应用产品有较高质量要求,对供应商选择有较为严格的筛 选、考核体系。公司成功进入下游客户供应链体系一般需要经历现场考察、送样检验、技术研讨、 需求回馈、技术改进、小批试做、批量生产、售后服务评价等环节,认证过程严格,认证周期较 长,一般为 3-12 个月不等。为了保证高品质产品的稳定供应,一旦通过下游客户的认证,客户会 与供应商建立长期稳定的合作关系。

公司在拓展潜在客户时,会对客户进行背景调查,在对客户的技术要求进行内部评估的同时, 对客户报价进行成本效益核算,进而对是否进入该潜在客户供应链体系进行综合判断。

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2.3 所处行业情况

(1). 行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛

( 1 )行业的发展阶段

经过半个多世纪的发展, “ 全球分工,自由贸易,效率优先 ” 的国际半导体产业链已经发展成 熟,分工严密且不断加深;但另一方面,近年国际政治经济局势的变化,也正在推动全世界主要 经济体走向 “ 芯片制造本土化 ” ,各国竞相推出巨额补贴和政策支持,上马本土集成电路制造产能, 全球集成电路制造产能的扩产规模和增速呈现加速态势。

SEMI 于 2025 年 1 月宣布, 2024 年全球半导体产能增长 6.6% 。 SEMI 另外预测,从 2025 年至 2027 年,全球 300mm 晶圆厂设备支出预计将达到创纪录的 4,000 亿美元,其中 2025 年相对 2024 年的同比增长预计达到 24% ,首次突破 1,000 亿美元,达到 1,232 亿美元。集成电路制造厂作为产 业链核心企业,短期内大规模增加的资本开支,将对上游设备和材料厂商提供发展机遇。

公司处于行业上游的半导体硅材料行业,深深植根于全球半导体产业链,同时伴随中国本土 产业链发展而壮大。半导体硅片市场的出货量及单价,影响并带动其它硅材料产品,是硅材料市 场整体景气度的晴雨表。 SEMI 于 2025 年 2 月公布数据, 2024 年全球半导体硅片出货量为 122.66 亿平方英寸,同比下滑 2.7% ;总销售额达 115 亿美元,同比下滑 6.5% ,下降的原因是部分细分领 域的终端需求放缓,影响了芯片制造厂的利用率及特定应用的硅片出货量。 SEMI 认为,蓬勃发展 的生成式人工智能和新的数据中心建设驱动了 HBM 等高端芯片产品出货,但大多数其他终端市场 仍在从过剩库存中复苏。

目前,全行业仍处于产能扩张周期,海外领先硅片生产厂商的新增产能将陆续于 2025 年投入 量产,中国本土产能正在稳健扩充并挤压海外厂商市场空间。全球市场份额排名第二位的日本胜 高公司认为,目前全球半导体市场需求的结构性特征明显:人工智能相关需求强劲,但其余领域 仍然疲软。

( 2 )基本特点

半导体级硅材料行业有 “ 三高 ” 的特点:

1 )资金壁垒高

半导体级硅材料行业属于资金密集型行业,前期涉及厂房、设备等巨额资本投入,且生产所 需高精度制造设备和质量检测设备的采购资金占比很高,固定资产投资规模庞大。同时规模化生 产是行业参与者降低成本提升市场竞争力的必要手段,因此市场新进入者必须达到一定的经济规 模,才能与现有企业在设备、技术、成本、人才等方面展开竞争。

2 )技术壁垒高

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半导体级硅材料质量优劣的评价标准主要包括晶体尺寸、缺陷密度、元素含量、元素分布均 匀性等一系列参数指标。实际生产过程中,除了热场设计、原材料高纯度化处理外,需要匹配各 类参数并把握晶体成长窗口期以控制固液共存界面形状。在密闭高温腔体内进行原子有序排列并 完成晶体生长是复杂的控制工程,工艺难度较高,且产品良品率和参数一致性受员工技能和生产 设备性能的影响,人机协调也是工艺难点所在。

我国半导体级硅材料行业起步较晚,相比国外先进水平较为落后,具备相关理论知识和行业 经验的高级技术人才以及熟练的技术工人都相对匮乏。市场新进入者难以在短时间内获得足够有 丰富经验的专业性技术人才,而行业人才的培养、经验的积累以及高效的协作都需要较长时间。 3 )市场壁垒高

半导体级硅材料行业下游客户为保证自身产品质量、生产规模和效率、供应链的安全性,十 分注重供应商生产规模、质量控制与快速反应能力。因此,行业下游客户会对供应商执行严格的 考察和全面认证程序,涉及技术评审、产品报价、样品检测、小批量试用、批量生产等多个阶段, 行业下游客户确保供应商的研发能力、生产设备、工艺流程、管理水平、产品质量等都能达到认 证要求后,才会考虑与其建立长期的合作关系。因此,认证周期较长,认证时间成本较高。一旦 供应商进入客户供应链体系,基于保证产品质量的稳定性、控制供应商渠道开拓与维护成本等多 方面的考虑,客户一般不会轻易改变已定型的产品供应结构。

( 3 )主要技术门槛

1 )大直径硅材料晶体生长技术

公司大直径硅材料产品尺寸主要为 14-22 英寸,主要销售给半导体等离子刻蚀设备硅零部件 制造商,经一系列精密的机械加工制作成为集成电路制造刻蚀环节所需的核心硅零部件。公司生 产并销售的集成电路刻蚀用大直径硅材料纯度为 10 到 11 个 9 ,产品质量核心指标达到国际先进 水平,可满足 7nm 及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求。

公司凭借无磁场大直径单晶硅制造技术、固液共存界面控制技术、热场尺寸优化工艺等多项 业内领先的工艺或技术,使公司能够实现不借助强磁场,仅在常规单晶生长设备上生长出大直径 的单晶硅晶体,从而在维持较高良品率和参数一致性水平的基础上,有效降低了单位生产成本; 公司顺应晶体 “ 大型化 ” 的市场趋势,引入了新型长晶设备,改良了热系统,提升生产过程数字化 水平,提高了管理精细度,优化了工艺方案,实现了效能提升;大直径多晶硅材料及其制成品生 产技术方面,公司研发团队攻关多晶硅晶体制造工艺,不断提升晶体良品率,能够满足客户对更 大尺寸晶体的需求。

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2 )硅零部件加工技术

大直径硅材料经过切片、研磨、钻孔、腐蚀、抛光、检验等多道精密加工步骤后,可制成等 离子刻蚀机用的硅零部件,如:硅上电极,硅片托环等。等离子刻蚀机的气体通过气体分配盘, 经由硅上电极的近千个细微小孔进入刻蚀机腔体中,在一定电压的作用下,形成高强度的等离子 体。若细微小孔的孔径不一致,会影响到电路刻蚀的精度,从而造成芯片良率的下降;同时,上 电极及硅片托环与芯片同处于刻蚀机腔体中,受等离子体的刻蚀后,逐渐变薄,当这些硅零部件 厚度减少到一定程度后,需替换新的硅零部件,以满足等离子刻蚀机所需要的工艺条件。因此, 硅零部件是晶圆制造刻蚀工艺的核心耗材。硅零部件的物理特性和化学特性对于晶圆表面的沟槽 精度、均匀性等指标有着重大影响。

等离子刻蚀设备厂商或集成电路制造商通常对硅零部件的选择有着很高的要求,加工难度极 高。以硅上电极为例,该产品有近千个微孔,每个微孔的尺寸精度、位置精度等都有极高要求, 甚至每个微孔内壁表面的保持一定程度的光滑度,以达到孔内壁 “ 不易产生异物污染 ” 的要求;同 时,刻蚀气体经过每个微孔后,孔径内壁腐蚀变化程度也需要保证一致性。在进行表面、外形加 工过程时,刀具与硅材料的接触过程中,极易造成微观层面的崩裂等表面细微损伤,这种表面损 伤可延伸至产品内部,造成产品在使用过程中的异常。所以,近千个微孔的加工必须一气呵成。 如果中间有异常,整个上电极就会成为不良品。

公司经过长时间的研发,掌握了硅零部件的加工技术,在高深径比钻孔技术、孔内腐蚀技术、 清洗技术等方面建立了坚实的基础,产品已经交付客户使用,反馈良好。

3 )半导体大尺寸硅片行业技术

公司以生产技术门槛高,市场容量比较大的轻掺低缺陷抛光硅片(正片)为目标,目前从全 球市场 8 英寸硅片总需求上看,轻掺硅片占全部需求的 70%-80% 左右;在 12 英寸硅片总需求中, 轻掺硅片占比几近 100% 。公司已掌握了包含 8 英寸半导体级硅片在内的晶体生长及硅片表面精密 加工等多项核心技术。

公司分阶段实施的工艺优化,即通过工艺和热场结构的变化,加强对晶体内氧含量的控制, 以适配不同规格硅片的相应技术要求,能够实现从晶体生长端到硅片加工端的协同效应。

(2). 公司所处的行业地位分析及其变化情况

在大直径硅材料领域,凭借多年的技术积累及市场开拓,公司在产品成本、良品率、参数一 致性和产能规模等方面均具备较为明显的竞争优势,细分市场占有率不断上升,市场地位和市场 影响力不断增强。目前公司已扎根于分工严密的国际半导体供应链中,大直径硅材料直接销售给

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日本、韩国等国的知名硅零部件厂商。后者的产品销售给国际知名刻蚀机设备厂商,例如美国泛 林集团( Lam Research )和日本东电电子( Tokyo Electron Limited, TEL ),并最终销售给三星和台积 电等国际知名集成电路制造厂商。

随着集成电路制造产能向中国转移以及中国本土等离子刻蚀设备技术的突破,国内市场不断 扩大,因此公司的大直径硅材料亦面向中国市场销售。公司产品质量稳定性高、交期及时,为国 内集成电路制造产业国产化进程做出贡献。

报告期内,公司大直径硅材料产品生产情况稳定,产能得到稳健扩充;产品结构继续优化升 级,利润率较高的 16 英寸以上产品收入占比上升至 51.61% ;成本方面, 2023 年以来,原始多晶 硅原料价格下降并回复至历史价格中枢,随着公司原有库存原材料消耗,公司大直径硅材料产品 的原始多晶硅原料成本逐渐降低。公司持续成本节俭行动,继续保持行业内领先的毛利率 , 报告期 内达到 63.85% ,较去年同期增加 13.73 个百分点,体现了公司的细分市场优势。

在硅零部件领域,公司拥有一南一北两个厂区,配合国内等离子刻蚀机设备原厂开发的硅零 部件产品,已经从研发机型扩展至成熟量产机型。

随着中国本土集成电路制造产能的快速增加,以及国产等离子刻蚀设备原厂的技术进步和机 台出货量增加,拉动了中国本土的大直径硅材料及硅零部件需求。报告期内,公司主营业收入中 境内市场收入占比 69.85% ,公司硅零部件产品销售额同比增长 214.82% ,以上数据体现了公司在 中国集成电路制造供应链国产化过程中的独特地位。

在半导体大尺寸硅片领域,公司核心技术团队在日本有多年的轻掺低缺陷硅片生产经验。公 司是国内极少数专注于轻掺低缺陷技术路线的硅片厂商,具备替代海外供应商向国内集成电路制 造厂商供应高质量硅片的潜在实力。

(3). 报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

( 1 )半导体市场结构性变化对产品定制研发和本土市场开发能力提出更高要求

报告期内,全球半导体市场呈现结构性变化, SEMI 认为, 2024 年全球半导体市场的增长来 自前沿的逻辑芯片和代工、生成式人工智能、高性能计算等应用的增长以及芯片在终端领域的需 求。

一方面,生成式人工智能应用快速迭代发展,算力相关存储、逻辑芯片热销,但其对市场整 体带动仍有限;另一方面,尽管 AI+PC 、 AI+ 手机的初代产品已经面世并引起广泛关注,但消费电 子市场能够取代智能手机的下一代主机产品尚不明确。因此,下游市场的不确定性增加了上游企 业对趋势的判断难度,同时也对企业的产品定制研发能力提出更高要求,唯有紧跟市场变化并推

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陈出新的企业才能快速反应、赢得先机。

台积电于 2025 年 1 月公布的营运绩效报告显示, “ 高性能计算 ” 和 “ 智能手机 ” 两大技术平台占 公司 2024 年总收入的比重为 53% 和 35% ,高性能计算占据年度收入来源的一半以上,且占比同比 继续提升。从全年增长来看,高性能计算和智能手机平台同比增长为 19% 和 17% ,物联网和消费 电子同比下滑 15% 和 6% ,这显示高端算力芯片产品需求仍然强劲、高端消费者市场需求有所回升。 三星电子于 2025 年 2 月表示, 2024 年营业收入同比增长 16% ,营业利润同比增长 395% ,存储芯 片业务成为公司主要增长引擎,未来将加大产品升级和产能调整力度。 SK Hynix 于 2025 年 1 月宣 布, 2024 年总营收创下历史新高,营业利润也超过了上一轮存储市场繁荣期的业绩,该公司预测 随着大型科技公司对 AI 服务器的投资扩大,人工智能推理技术的重要性也日益增加,由此高性能 计算所必需的 HBM 和高容量服务器 DRAM 的需求将持续增长。

从中国本土市场来看, 2024 年我国集成电路出口 1,595 亿美元,一举超过手机的 1,344 亿美 元,成为出口额最高的单一商品,同比增长 17.4% ,创历史新高。中芯国际于 2025 年 2 月表示, 客户产品库存相对健康,认为 2025 年除了人工智能继续高速成长外,市场各应用领域需求将持平 或温和增长。 2024 年下半年,中国本土存储类集成电路制造厂商的技术进步较快,对韩国、日本 的成熟存储产品如 DDR4 和消费者级 SSD 产品价格造成冲击,迫使后者降价减产。这显示中国本 土集成电路制造能力和规模都在稳步提升,未来有望赶超国际先进水平,将对材料和零部件厂商 的定制研发能力和本土市场开发能力提出更高要求。

( 2 )芯片制程日趋缩小对刻蚀工艺和大直径硅材料制造技术提出更高要求

国际先进集成电路制造厂商的先进制程工艺正在持续进步:三星电子积极提高 3nm 产线良 率,计划于 2025 年实现 2nm 产线量产;台积电 2nm 制程芯片目标定于 2025 年量产, 2026 年下 半年计划量产 A16 制程;英特尔计划于 2025 年下半年量产 18A 工艺, 14A 工艺提前至 2026 年投 产,并提出 2027 年实现 10A 制程。半导体加工制程不断进步, 12 英寸集成电路产品的设计线宽 越来越窄,因此沟槽也相应变窄,需要更高的刻蚀精度。更高的刻蚀精度,对硅片表面的温度、 刻蚀气体浓度、材料性质提出更高的均匀性要求。采用更大的腔体和更大的上电极、下电极,更 容易确保硅片面内各项工艺对均匀性的要求。因此,目前国际领先刻蚀机厂商的最新机型,都在 —— 向着大型化方向发展。随着以上技术工艺发展,更大尺寸的硅零部件及其所需的上游材料 更 大直径的大直径硅材料 (16 英寸以上 ) 的需求也将随之增加。

此外,以 HBM 为代表的人工智能所需算力芯片研发竞争日趋激烈, SK Hynix 、三星、美光都 计划在 2025 年推出各自的新一代 HBM 产品。三维堆叠结构的 HBM 产品对 TSV 工艺提出更高要求,

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刻蚀工艺的精准控制和优化对于确保 TSV 的准确形成和可靠性至关重要,对刻蚀技术和刻蚀应用 数量提出更高要求。

目前,公司 16 英寸以上大直径硅材料产品的技术和产能在全球市场拥有竞争优势;公司将持 续研发针对体积较大、设计难度较高的 12 英寸高端制程所需硅零部件产品。

( 3 )全球主要经济体芯片产业竞争所带来的风险与机遇并存

报告期内,美国对华技术出口管制措施继续升级。 2024 年 12 月 2 日,美国商务部工业与安 全局( BIS )将 136 家中国实体和 4 家海外关联企业列入 “ 实体清单 ” ,涵盖众多中国半导体设备制 造厂商、 EDA 软件开发商、光刻胶开发商等; 2025 年 1 月 13 日,美国商务部发布人工智能扩散 出口管制框架临时最终规则,再次升级对华先进芯片出口管制,进一步扩大了管控范围。

此外,美国、欧盟、韩国、日本都已在实施数十亿至数百亿美元不等的半导体投资补贴政策。 宏大的发展目标及巨额的公共资金支持,正在改变全球半导体产业的资源流向和投资节奏。 2024 年,台积电位于美国亚利桑那州的第一家晶圆厂开始量产 4nm 半导体; 2024 年 12 月,台积电位 于日本熊本的工厂正式量产 12 至 28 纳米制程半导体,熊本第二工厂开始建设; 2025 年 3 月,台 积电宣布将对美国再投资至少 1,000 亿美元,用于兴建 3 座晶圆厂、 2 座先进封装厂等设施。芯片 制造产能对本土供应链的要求极高,并非仅凭政策和补贴能够一蹴而就,公司所在的东亚 , 中国、 日本、韩国三国的产业链优势难以撼动。

全球主要经济体面向芯片制造领域的产业政策竞争持续加剧,带来的风险与机遇并存:一方 面,公司的中国本土客户向美国及其盟国进口先进设备的难度大大增加,产品研发和产能扩张受 到延缓和阻碍;另一方面,随着对华技术出口管制政策收紧,下游本土客户对国产供应商的评估 认证积极性有所增强,速度有所提升,也为公司的硅零部件和半导体大尺寸硅片产品提供了更大 的成长空间和更强的成长动能。

3、 公司主要会计数据和财务指标

3.1 近3 年的主要会计数据和财务指标

单位:元 币种:人民币 单位:元 币种:人民币
2024年 2023年 本年比上年
增减(%)
2022年
总资产 1,992,903,335.46
1,933,422,436.15

3.08
1,759,658,594.62
归属于上市公司股
东的净资产
1,792,961,454.97
1,761,794,579.03

1.77
1,573,266,430.97
营业收入 302,729,514.81
135,033,152.23

124.19

539,236,503.68
归属于上市公司股
东的净利润
41,150,745.84
-69,109,826.01

不适用

158,141,626.89

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归属于上市公司股
东的扣除非经常性
损益的净利润
38,343,442.86
-71,555,263.79

不适用

155,541,778.43
经营活动产生的现
金流量净额
172,929,764.60
82,209,545.12

110.35

130,146,507.24
加权平均净资产收
益率(%)
2.32
-4.31

增加6.63个
百分点
10.84
基本每股收益(元
/股)
0.24
-0.43

不适用

0.99
稀释每股收益(元
/股)
0.24
-0.43

不适用

0.99
研发投入占营业收
入的比例(%)
8.26
16.64

减少8.38个
百分点
7.30

3.2 报告期分季度的主要会计数据

单位:元 币种:人民币 单位:元 币种:人民币
第一季度
(1-3月份)
第二季度
(4-6月份)
第三季度
(7-9月份)
第四季度
(10-12月份)
营业收入 58,320,271.69 66,899,605.07 88,889,623.82 88,620,014.23
归属于上市公司股东的
净利润
1,461,563.89 3,300,536.21 22,723,860.58 13,664,785.16
归属于上市公司股东的
扣除非经常性损益后的
净利润
995,818.12 2,898,090.92 22,128,388.02 12,321,145.80
经营活动产生的现金流
量净额
34,222,489.38 44,146,497.71 36,786,297.30 57,774,480.21

季度数据与已披露定期报告数据差异说明

□适用 √不适用

  • 4、 股东情况

  • 4.1 普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前 10 名股东情况

单位: 股

单位: 股
截至报告期末普通股股东总数(户) 11,775
年度报告披露日前上一月末的普通股股东总数
(户)
12,297
截至报告期末表决权恢复的优先股股东总数(户) 0
年度报告披露日前上一月末表决权恢复的优先股
股东总数(户)
0
截至报告期末持有特别表决权股份的股东总数
(户)
0
年度报告披露日前上一月末持有特别表决权股份
的股东总数(户)
0

锦州神工半导体股份有限公司 2024 年年度报告摘要

前十名股东持股情况(不含通过转融通出借股份) 前十名股东持股情况(不含通过转融通出借股份) 前十名股东持股情况(不含通过转融通出借股份) 前十名股东持股情况(不含通过转融通出借股份) 前十名股东持股情况(不含通过转融通出借股份) 前十名股东持股情况(不含通过转融通出借股份) 前十名股东持股情况(不含通过转融通出借股份) 前十名股东持股情况(不含通过转融通出借股份)
股东名称
(全称)
报告期内
增减
期末持股
数量
比例(%) 持有有
限售条
件股份
数量
质押、标记或冻结
情况
股东
性质
股份
状态
数量
更多亮照明有限公
0 37,003,560 21.73 0 0 境外法人
矽康半导体科技(上
海)有限公司
0 35,550,301 20.87 0 0 境内非国
有法人
北京航天科工军民
融合科技成果转化
创业投资基金(有限
合伙)
0 7,641,705 4.49 0 0 境内非国
有法人
温州晶励企业管理
合伙企业(有限合
伙)
0 2,873,733 1.69 0 0 境内非国
有法人
626 投資控股有限公
-203,750 2,338,965 1.37 0 0 境外法人
香港中央结算有限
公司
1,393,799 1,645,421 0.97 0 0 其他
上海睿郡资产管理
有限公司-睿郡有
孚1号私募证券投资
基金
363,589 876,104 0.51 0 0 其他
交通银行股份有限
公司-易方达科讯
混合型证券投资基
843,626 843,626 0.50 0 0 其他
景志刚 720,000 720,000 0.42 0 0 境内自然
王进平 389,421 719,421 0.42 0 0 境内自然
上述股东关联关系或一致行动的说明 矽康半导体科技(上海)有限公司、温州晶励企
业管理合伙企业(有限合伙)、宁波梅山保税港区
旭捷投资管理合伙企业(有限合伙)已签署一致
行动协议。
表决权恢复的优先股股东及持股数量的说明

存托凭证持有人情况 □适用 √不适用

截至报告期末表决权数量前十名股东情况表

锦州神工半导体股份有限公司 2024 年年度报告摘要

□适用 √不适用

  • 4.2 公司与控股股东之间的产权及控制关系的方框图

  • □适用 √不适用

  • 4.3 公司与实际控制人之间的产权及控制关系的方框图

  • □适用 √不适用

  • 4.4 报告期末公司优先股股东总数及前 10 名股东情况

  • □适用 √不适用

  • 5、 公司债券情况

  • □适用 √不适用

第三节 重要事项

  • 1、 公司应当根据重要性原则,披露报告期内公司经营情况的重大变化,以及报告期内发生的对 公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

  • 报告期内公司实现营业收入 30,272.95 万元,同比增长 124.19% ;归属于上市公司股东的净利

润 4,115.07 万元,实现扭亏为盈。

  • 2、 公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的,应当披露导致退市风险警示或终 止上市情形的原因。

  • □适用 √不适用