DAWON NEXVIEW CO.,LTD.

Pre-Annual General Meeting Information • Mar 7, 2024

주주총회소집공고 2.9 (주)다원넥스뷰

주주총회소집공고

2024년 03 월 07 일
회 사 명 :	(주)다원넥스뷰
대 표 이 사 :	남기중
본 점 소 재 지 :	경기도 안산시 단원구 시화호수로 485 (성곡동)
	(전 화)031-8085-7899
	(홈페이지)http://www.nexview.co.kr/
작 성 책 임 자 :	(직 책) 경영지원실장	(성 명) 조 현 국
	(전 화) 031-8085-7899

주주총회 소집공고(제15기 정기)

제 15기 정기주주총회 소집통지서

주주님의 건승과 댁내의 평안을 기원합니다.

당사는 상법 제363조와 정관 제 16 조에 의거 제 15기 정기주주총회를 아래와 같이 개최 하오니 참석하여 주시기 바랍니다.

- 아 래 -

1. 일 시 : 2024년 03월 26일(화요일) 오전 11시 00분

2. 장 소 : 경기도 안산시 단원구 시화호수로 485 ㈜다원넥스뷰 1층 회의실

3. 회의 목적 사항

가. 보고사항 : ①감사보고 ②영업보고 ③외부감사인 선임보고 ④내부회계관리제도 운영실태보고

나. 부의안건

제1호 의안 : 제 15기 (2023.01.01~2023.12.31) 재무제표 승인의 건

제2호 의안 : 이사 선임의 건

제2-1호 의안 : 사내이사 남기중 선임의 건 제2-2호 의안 : 사내이사 이동건 선임의 건 제2-3호 의안 : 사외이사 김후식 선임의 건 제2-4호 의안 : 사외이사 박하진 선임의 건

제3호 의안 : 이사 보수한도액 승인의 건(1,000백만원)

제4호 의안 : 감사 보수한도액 승인의 건(60백만원)

4. 배당내역 : 해당없음

5. 경영참고사항 비치

상법 제542조의4에 의한 경영참고사항은 당사 인터넷 홈페이지에 게재하고 본점과 명의개서대행회사(국민은행 증권대행부)에 비치하였으며, 금융위원회 및 한국거래소에 전자공시하여 조회가 가능하오니 참고하시기 바랍니다.

2024년 03월 07일

주식회사 다원넥스뷰

대표이사 남 기 중 (직인생략)

I. 사외이사 등의 활동내역과 보수에 관한 사항

1. 사외이사 등의 활동내역 가. 이사회 출석률 및 이사회 의안에 대한 찬반여부

회차	개최일자	의 안 내 용	가결	사외이사 등의 성명
여부	유영진
---	---	---	---	---
	(출석율:100%)
---	---	---	---	---
	찬반여부
---	---	---	---	---
1	2023.02.24	2022년 내부회계관리제도 운영실태 및 평가 보고의 건	보고	해당사항 없음(신규선임)
제14기 결산재무제표 승인의 건 (결손금처리계산서(안) 포함) 승인의 건	가결
2023년 이해관계자와의 거래총액 승인의 건	가결
2	2023.03.10	제14기 정기주주총회 소집의 건	가결
3	2023.03.29	사내이사 사임의 건	가결
사외이사 선임의 건	가결
4	2023.03.29	외부감사인 지정 신청의 건	가결
사외이사 겸업 승인의 건	가결
5	2023.04.24	KEB하나은행 대출 연장의 건	가결	찬성
6	2023.05.15	정관 변경에 따른 임시주주총회 소집	가결	찬성
7	2023.09.15	제 14기 재무제표 수정에 대한 승인	가결	찬성
8	2023.09.21	기업은행 대출 연장의 건	가결	찬성
9	2023.10.23	하나은행 대출 연장의 건	가결	찬성
10	2023.11.13	합병계약 체결의 건	가결	찬성
코스닥시장 이전상장 추진 결의의 건	가결	찬성
11	2023.11.20	기업은행 대출 연장의 건	가결	찬성
12	2023.12.22	기업은행 대출 연장의 건	가결	찬성

나. 이사회내 위원회에서의 사외이사 등의 활동내역

- 해당 사항 없습니다.

2. 사외이사 등의 보수현황

(단위 : 백만원)

구 분	인원수	주총승인금액	지급총액	1인당평균 지급액	비 고
사외이사	1	600	9	9	-

※ 주총승인금액은 사내이사 4명을 포함한 등기이사 전원의 보수한도 총액입니다.

II. 최대주주등과의 거래내역에 관한 사항

1. 단일 거래규모가 일정규모이상인 거래(단위 : 억원)

거래종류	거래상대방(회사와의 관계)	거래기간	거래금액	비율(%)
용역	다원시스(최대주주)	2023.01 ~ 2023.12	1.5	1.4%

※ 상기 비율은 2023년도 별도 재무제표상의 매출액 대비 거래금액 비율(%)입니다.

2. 해당 사업연도중에 특정인과 해당 거래를 포함한 거래총액이 일정규모이상인 거래(단위 : 억원)

거래상대방(회사와의 관계)	거래종류	거래기간	거래금액	비율(%)
-	-	-	-	-

III. 경영참고사항

1. 사업의 개요 가. 업계의 현황

당사는 반도체 테스트 및 반도체 패키징 공정에 필요한 공정 장비 및 기기 등을 주력 제품으로 사업을 확대 성장시켜 나가고 있는 기업으로 반도체 제조업을 가장 중요한 전방산업으로 두고 있습니다 . 동 전방산업은 대표적인 자본 집약형 장치 산업으로 최종 매출처의 설비투자 계획에 따라 후방 산업의 업황이 영향을 받는 구조입니다 . 동사가 속한 반도체 장비 시장은 반도체 산업의 경기사이클에 지속적인 영향을 받습니다 .

당사의 반도체 테스트 부문의 주력 시장인 메모리용 웨이퍼 프로브카드 시장은 내수의 경우 국내 신규 투자를 주도하던 Nand Flash용 프로브카드 시장이 COVID-19 특수로 인해 발생한 슈퍼 사이클이 종식되고 신규 투자가 Slow한 상태로 접어든 반면 , 해외 시장의 경우 중국의 반도체 굴기 , 전 세계적인 경제 안보화로 가속화된 반도체의 자국 생산화 연속성 상에서 중국 시장이 자국의 Nand Flash 양산을 전후하여 프로브카드 제조에도 공격적인 신규 선투자를 이어가고 있습니다 .

현재 메모리용 프로브카드 시장에 가장 큰 전환점은 미국과 일본의 제조사가 독점하고 있는 DRAM용 프로브카드 시장이 국내 제조사의 내재화 성과에 힘입어 초도 양산을 위한 선투자가 진행되어 본격적인 양산 진입 시 전체 프로브카드 시장의 판도 변화가 예상되며 , 특히 최첨단 AI, 자율주행 , 데이터센터 등 고성능 반도체 프로세서 수요로 촉발된 HBM (High Bandwidth Memory)시장의 성장이 동반되어 기존 DDR기반 메모리 대비 테스트 종류가 늘어나면서 동사가 속해 있는 후방산업이 직접적인 수혜를 받을 것으로 기대하고 있습니다 .

당사의 반도체 패키징 부문의 주력 시장인 FC-BGA 기판 시장 역시 HBM의 최대 수요처인 고부가 2.5D 반도체 패키징 시장의 필수 부품으로 동일한 성장 요인의 적용을 받고 있으며 , 이로 인해 필연적인 반도체 기판의 다층화 및 대면적화는 제조 공정에서는 수율 확보가 진입 장벽이 되었고 , 제품의 고가화는 불량에 따른 품질 비용의 기하급수적인 증가가 현실화되면서 동사가 대기업에 반복 납품하면서 신규로 사업화에 성공한 최종 단계의 마이크로 범프 리페어 시장의 급속한 성장을 견인해 나갈 것으로 예상됩니다 .

이와 같이 동사 제품의 주력 시장은 반도체 테스트 부문에서 HBM으로 대표되는 3D패키징 시장과 성장 궤도를 같이 하고 , 반도체 패키징 부문에서는 FC-BGA로 대표되는 차세대 2.5D 패키징 시장에 직접적인 영향을 받고 있어 , 이러한 전방산업이 제공하는 최첨단 기술 트렌드에 기반한 성장요인은 중장기적으로 동사 사업의 견고한 성장 토대가 될 것으로 예상됩니다 .

나. 회사의 현황

(1) 영업개황 및 사업부문의 구분

(가) 영업개황

당사는 핵심기술인 'LSMB (Laser Systemic Micro-Bonding)' 라는 차별화된 기술로 첨단 산업에 필요한 초정밀 공정 장비를 개발 및 제조하여 제품화하였으며 , 현재 반도체 테스트 공정과 반도체 기판 제조 및 패키징 공정에 필요한 레이저 마이크로 접합 공정 제품을 중심으로 전 /후 공정까지 자동화할 수 있는 Tunkey 제품까지 라인업하여 사업을 확대해 나가고 있습니다 .

당사의 사업화가 완성된 주요 제품은 반도체 웨이퍼를 테스트하기 위한 프로브카드에 탐침 (Probe)를 초정밀 접합하는 'pLSMB(Probe Laser Systemic Micro-Bonding)제품군'과 반도체 패키징 또는 기판의 Micro Solder Ball을 Bumping하는 'sLSMB(Solder Laser Systemic Micro-Bonding)제품군'이 있으며 , 신규 사업 확대를 위해 디스플레이 , 솔라셀 , 스마트폰에 소요되는 부품소자를 정밀 가공하거나 접합하는 공정 장비를 제품화해 나가고 있습니다 . 사업화가 완성된 주력 제품의 세부 제품 목록은 아래와 같습니다 .

분류	제품군	주요 사용 범위
반도체 테스트	pLSMB	DRAM 또는 Nand Flash 메모리 웨이퍼에서 CIS (CMOS Image Sensor), DDI (Display Driver IC) 비메모리 웨이퍼에 이르기까지 완성된 웨이퍼를 Die 단위로 절단하여 패키징하기 전에 웨이퍼 상태에서 검사하기 위한 프로브 카드를 제조하는 공정에 사용됨 . 30-40㎛ 두께의 탐침을 레이저로 마이크로 접합하는 Laser Micro-Bonding System 핵심 장비를 중심으로 전단계에서 MEMS 방식으로 웨이퍼 상태로 제작된 프로브 (탐침 )의 연결부를 레이저로 절단하여 분리시켜 주는 Probe Cutting 장비 , Probe의 연결부가 절단된 웨이퍼 상태에서 접합 공정을 위한 Tray에 삽입하는 Probe Inserting 장비 그리고 완성된 프로브 카드 탐침의 접촉부를 비전으로 검사하는 Wafer Inspection 장비와 완성된 프로브카드 상에서 불량 탐침을 제거하고 리본딩하는 Laser Micro-Repair 장비를 Line-Up으로하여 Turnkey 공급하고 있음 .
반도체패키징	sLSMB	반도체 패키징 공정의 칩과 반도체 기판의 입출력 단자를 연결하는 방식이 기존의 Wire Bonding 방식에서 Solder Bump를 이용한 Flip Chip 접합 방식으로 바뀌어 감에 따라 반도체 패키징 또는 기판 제조 공정 중 Solder Ball을 Bumping하는 제조 공정에 사용됨 . 당사는 레이저 솔더볼 젯팅 프로세스를 통해 플립칩 기판의 칩 연결 단자로 사용되는 직경 40~80㎛ 크기의 플립칩 스케일 Micro-Bump를 접합을 위한 제품을 Flagship으로 하여 , 반도체 기판과 최종 제품 PCB 기판의 입출력 단자를 접합하는 데 활용되는 직경 150~760㎛ 크기의 BGA 스케일 Bump를 접합하는 장비로 이원화하여 웨이퍼 레벨 패키지 , BGA 패키지 제조 공정과 동일한 솔더볼 스케일로 입출력 단자를 솔더링하는 스마트폰 카메라 모듈 , Wearable 센서류 등의 제조 공정에 단독 공정 장비 또는 자동 물류 라인을 구성하여 공급하고 있음 .

[ 표 ] 주요 제품의 사용 범위

동사의 주요 사업 부문.jpg [그림] 동사의 주요 사업 부문

( 나 ) 공시대상 사업부문의 구분

당사의 사업부문별 내용은 다음과 같습니다 .

(1) 반도체 테스트 부문 (pLSMB 사업 부문 )

A. 개요

반도체 제조공정 중 반도체 소자의 전기적 기능 테스트 공정에 프로브카드 (Probe Card)가 소요되며 , 당사는 프로브카드 제작에 필요한 공정 자동화 장비를 개발 , 제조 및 판매하고 있습니다 . 반도체 제조공정은 크게 웨이퍼를 제조하는 전공정과 제조된 웨이퍼를 가공하여 각각의 반도체 칩을 생산하는 후공정으로 구분됩니다 . 전공정은 웨이퍼상에 설계된 회로에 따라 여러 종류의 막을 형성하고 불필요한 부분을 제거하는 과정을 반복하며 전자회로를 형성하는 공정입니다 . 후공정은 개별 칩별로 전기적 신호를 연결하고 형상 가공의 역할을 하는 패키징 공정과 반도체 소자의 전기적 기능을 검사하는 테스트 공정으로 분류됩니다 .

당사의 제품이 사용되는 테스트 공정은 다시 패키징 이전 단계인 웨이퍼 상태에서 진행되는 웨이퍼 테스트 (Wafer Test)와 패키징 공정 완료 후 완성된 개별 칩에 대한 검사를 수행하는 패키지 (PKG Test) 테스트로 구분됩니다 . 당사의 주요 제품인 프로브카드는 웨이퍼 테스트 (Wafer Test)에 소요되는 고부가가치의 소모성 부품입니다 . 프로브 카드는 웨이퍼 상태에서 웨이퍼 내에 제작된 칩의 전기적 동작 상태를 검사하기 위해 Probe(탐침 )을 일정한 규격의 회로기판에 부착한 카드로 , Probe의 Contact부가 웨이퍼에 생성된 칩 내부의 패드 (Pad)에 접촉되면서 메인 테스트 장비로부터 받은 신호를 전달하고 칩에서 출력되는 신호를 감지하여 다시 메인 테스트 장비에 전달하는 역할을 수행합니다 . 테스트 장비는 전달된 신호를 받아 칩의 양 , 불량을 확정하게 되므로 프로브 카드는 웨이퍼와 테스트 장비의 중간 매개체입니다 .

제품 수율 향상을 위하여 웨이퍼 제작 후 패키징을 하기 전 검사를 통해 불량 칩을 판별하여 주는 것을 EDS (Electrical Die - Sorting Test) 검사라고 합니다 . EDS 검사는 반도체 검사 장비에서 발생되는 신호를 , 웨이퍼 패드와 (Wafer Pad)와 프로브카드를 Probing 해주는 Probe station을 통해 인가하여 주는 방식으로 이루어집니다 . 웨이퍼 패드를 프로브 팁 (tip)이 접촉한 상태에서 신호를 입력하고 출력되는 신호를 감지하여 전기적 검사를 하는 장비를 ATE (Automatic Test Equipment)라고 하며 . 프로브카드는 ATE와 웨이퍼 사이의 전기적 신호를 전달해주는 핵심역할을 하는 부품입니다 . 프로브카드는 동시에 다수의 칩을 최소한의 시간에 정확하게 테스트를 수행할 수 있는지 여부가 핵심 기술로 , 테스트 효율을 제고시키기 위해 절대적으로 필요한 부품 소재인 반면 , 반도체 제조사의 생산기술에 동조화되어야 하므로 기술적 진입장벽이 높은 분야입니다 . 또한 제품의 신뢰성 확보가 매우 중요한 경쟁력이므로 장기간의 개발 및 양산 경력과 고객사와의 신뢰관계가 요구됩니다 .

반도체 공정에서 웨이퍼 레벨 테스트를 위한 eds 공정.jpg [그림] 반도체 공정에서 웨이퍼 레벨 테스트를 위한 EDS 공정

2000 년 이전에는 주로 핀을 기판에 수작업으로 본딩하는 형태로 제조된 프로브카드를 이용하여 웨이퍼 테스트 공정에 적용하였습니다 . 그러나 웨이퍼의 크기는 확대되는 반면 칩은 소형화 되면서 검사 칩수가 제한적인 수작업 조립형태의 제품은 한계에 봉착하였습니다 . 특히 , 최근 반도체 소자는 고집적화로 회로 선폭 및 칩 내부에 생성되는 입출력 패드 사이의 간격이 미세해 지면서 프로브카드에도 높은 정밀도 및 미세화에 대한 대응이 요구되나 기존 수작업 형태의 제품은 대응이 불가하게 되었습니다 . 이에 프로브카드 제조사들은 수작업이 아닌 반도체 식각 방법을 이용하여 초소형 정밀 기계 기술로 각광받는 멤스 (MEMS, Micro Electronic Mechanical System) 기술을 기반으로 한 멤스 프로브카드를 개발하였습니다 . 멤스 프로브카드는 Probe 의 제작 공정으로 반도체 식각 방법을 이용한 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정으로 형성되며 , Probe의 초소형화 및 협 피치에 대응할 수 있다는 관점에서 Advanced Probe Card라고도 합니다 . MEMS는 반도체 공정기술을 기반으로 한 초소형 정밀기계 제작기술로 , 초소형 제품의 대량 생산이 가능하여 프로브카드를 비롯하여 자이로 센서 , 가속도 센서 , 프린터 헤드 , 미세 기계 분야 등에 광범위하게 적용되고 있습니다 .

반도체 웨이퍼 테스트 공정.jpg [그림] 반도체 웨이퍼 테스트 공정(참조: TSE 홈페이지 자료)

MEMS 기술을 활용한 프로브카드는 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있고 , 프로빙 (Probing)의 정확도 및 반복 테스트 등에서 탁월한 성능을 발휘하여 초기에는 DRAM 제품의 웨이퍼 테스트용으로 적용되었으나 , 이후 Nand Flash용 제품은 물론 비메모리용 제품까지 반도체 산업 내에서 적용분야가 확대되고 있습니다 . CIS (Camera Image Sensor)와 같은 비메모리용 MEMS 프로브카드를 비롯하여 최종 패키지 테스트에 사용되는 테스트 소켓 및 디스플레이를 구동하는 Driver IC 테스트 카드까지 MEMS 프로브 제품의 포트폴리오가 지속적으로 확대되고 있습니다 .

주요 mems 공정을 이용한 프로브카드 제품.jpg [그림] 주요MEMS공정을 이용한 프로브카드 제품

당사는 2D MEMS 프로브카드 제작 장비 중 프로브 기판 (세라믹 ) 위에 형성된 패턴 전극 (PAD)에 프로브 (탐침 )을 하나씩 정밀 본딩 (bonding)하는 장비인 ‘ Laser Micro-Bonding System’을 개발하였습니다 . 동 장비는 전 세계 상용화된 레이저 마이크로 접합 장비 중에서 가장 높은 정밀도가 요구되는 제품 중 하나입니다 . 당사는 메모리용 웨이퍼를 테스트하는 데 필요한 60um이하 간격으로 프로브카드 위에 MEMS 타입의 프로브 핀을 2만개 (낸드 플래시용 )에서 10만개 (DRAM용 )까지 본딩하고 , 본딩 후 전체 핀의 정밀도를 4 ~ 5um 오차 이하 요구 수준을 만족시켜 양산 적용에 성공하였습니다 .

공정 및 장비 개념도.jpg [그림] 공정 및 장비 개념도

또한 이 장비에 필요한 레이저 응용 기술은 물론 ± 1um Stage 정밀도를 구현하기 위한 세계 최고 수준의 기구 설계 및 조립 기술 , 2D스테이지 맵핑 (Stage Mapping) 기술 , 3차원 고속 오토 포커스 비전 (3D Auto Focus Vision) 기술 등은 기술 차별화를 통한 사업 영역 확대에 근간이 되고 있습니다 . 전 세계 메모리 생산의 70% 이상인 안정적인 국내 시장을 기반으로 세계 1위 미국 프로브카드 업체부터 신규 중국 및 대만 신규 업체에 이르기까지 납품하고 있으며 , 또한 전체 MEMS프로브카드 시장의 절반 이상으로 성장한 비메모리용 프로브카드 시장에서도 CIS (CMOS Image Sensor)와 DDI (Display Driver IC)용 프로브카드를 중심으로 응용 분야를 확대해 나가고 있습니다 .

레이저 마이크로 본딩장비.jpg [그림] 레이저 마이크로 본딩장비

한편 , MEMS 방식의 프로브카드 종류에는 제작 방식에 따라 크게 3D MEMS 방식과 2D MEMS로 구분할 수 있습니다 . 3D MEMS는 반도체 식각 방법을 이용하여 프로브 핀을 직접 생성시키며 , 2D MEMS의 경우 프로브 (탐침 )을 반도체 식각 공정으로 별도 제조하고 Probe를 기판에 레이저 마이크로 본딩 기술을 이용하여 접합하는 방식으로 제조합니다 .

초기 DRAM용 프로브카드에 요구된 Fine Pitch 대응 문제와 대면적 제작에 대한 효율성 문제를 해결하기 위하여 미국의 Formfactor사가 시초가 되어 3D MEMS방식이 시장을 주도하였으나 , 일본의 MJC사가 2D MEMS 방식으로 DRAM용 프로브카드 제작에 성공한 것을 계기로 New 2D MEMS Probe Card 시장이 열렸습니다 . 3D MEMS의 경우 일괄 공정인 장점은 있지만 적층해야 되는 높이가 Probe의 세워진 높이만큼이라 적층 공정의 반복 회수가 많아 수율이 낮고 필수적인 12인치 웨이퍼 Fab.구축으로 투자비가 많이 들어가는 반면 , 2D MEMS의 경우 기판과 핀의 제조공정이 분리되어 있어 6~8인치 웨이퍼 Fab.의 구축만으로 양산이 가능하여 상대적으로 초기 투자비가 적으며 , 적층해 나가는 높이가 Probe의 두께에 해당되어 적층 반복 회수가 작아 심플한 공정으로 수율이 높습니다 . 주요 프로브카드 제조사들의 매출을 기준으로 추정 시 , MEMS 프로브카드 시장의 1, 2위 수요처인 삼성전자와 SK하이닉스에서 3D와 2D의 비중은 과거 3 : 7 수준인 것으로 파악되었으나 현재 Nand Flash용 프로브카드의 경우 사실상 2D MEMS방식으로 일원화되었고 , 신규 투자는 2D MEMS에 국한되어 증설되고 있어 향후 2D MEMS의 비중이 더욱 높아질 것으로 예상됩니다 . 3D MEMS방식과 2D MEMS방식의 상호 제조 공정상의 차이점을 요약하면 아래와 같습니다 .

2d,3d mems 프로브 카드의 제조방식.jpg [그림] 2D, 3D MEMS 프로브 카드의 제조방식

	3D MEMS 프로브카드	2D MEMS 프로브카드
장점	-. 정밀도 구현이 용이함 -. Fine Pitch 대응이 유리함 -. 일괄 공정에 의해 제작됨 . (Lithography, Etching, Electroplating, Deposition)	-. 프로브 및 본딩 기술의 진화로 Fine Pitch 대응 가능 -. Probe 두께만큼 반복되는 단순한 MEMS공정으로 제조 수율이 높음 -. 동일한 형상의 프로브로 구성되어 , 유지보수가 쉬움 -. 공간 변화기 (STF: Space Transformer)의 MLC 제작 용이
단점	-. 12 인치 웨이퍼 Fab 공정으로 투자비 부담이 큼 -. Probe 높이만큼 연속되는 반복 MEMS공정으로 수율이 낮음 -. 다양한 Probe 형상으로 구성되어 유지보수가 어려움 -. 공간 변화기 (STF: Space Transformer)의 MLC 제작 난해	-. Probe 제작과 Probe Card제조 공정이 분리된 공정으로 제작됨 . -. 정밀도 구현이 상대적으로 난해하고 본딩 장비 의존도 높음

[ 표 ] 3D MEMS와 2D MEMS 방식의 비교

B. Value Chain

당사는 TSE, Soulbrain, 엠투엔 등과 같은 2D MEMS 프로브카드 제조사들에게 당사의 레이저 장비를 납품하며 , 프로브카드 제조사들은 자사의 제품을 삼성 또는 SK하이닉스와 같은 메모리 반도체 제조사에 프로브카드를 제작하여 납품하고 있습니다 . MEMS프로브카드는 현재 대부분 메모리용 웨이퍼 검사에서 비메모리용 웨이퍼 검사까지 다양하게 적용되나 , 당사 제품은 매출처인 국내 프로브카드 제조사의 시장을 중심으로 Nand Flash 분야에 적용되며 가 적용되는 2D MEMS 프로브카드는 메모리반도체 중에서도 , 당사의 매출처들은 Nand Flash 제조사에게 프로브카드를 납품하고 있습니다 . 최근에 들어서는 Sony와 같은 CIS (CMOS Image Sensor) 웨이퍼로 적용 분야가 확대되고 있습니다 .

C. 경쟁상황

전 세계적으로 특정 고객사에 독점 납품하지 않고 , 모든 프로브카드 제조사가 시장에서 자유롭게 접근가능한 표준화된 레이저 마이크로 본딩 장비를 판매하는 제조사는 당사를 포함하여 독일의 Pactech사와 한국의 레이저쎌 등이 있습니다 . 다만 , 메모리용 프로브카드 시장의 가장 큰 고객사인 삼성전자와 SK하이닉스 등이 국내에 소재하여 한국을 가장 선도적인 시장으로 볼 수 있으며 , Pactech사의 경우 제품의 양산 적합도 , 지속적인 기술 및 서비스 대응력면에서 국내 고객사의 요구 수준에 미치지 못하는 상황으로 , 당사가 Nand Flash 분야에서 가격 경쟁력 , 기술 및 서비스 대응력에서 경쟁 우위에 있는 것으로 판단됩니다 .

다만 자체적으로 레이저 마이크로 본딩 장비를 내재화하여 프로브카드를 제조하고 있는 MJC와 3D MEMS 방식으로 제조하고 있는 Formfactor사를 제외하고는 아직 DRAM용 Probe Card를 전면적으로 공급하는 업체는 없는 실정입니다 . DRAM용 프로브카드의 경우 최소 50um Fine Pitch 대응력과 8,000 Pin 정도의 최소 일일 본딩량이 요구되고 있어 , 기존의 그리퍼 (Gripper) 방식으로는 최소 Pitch 대응이 힘들고 , Vacuum 방식과 같은 새로운 그립 방식이 선결되어야 하고 , 기존 Nand Flash용 프로브카드 생산성 대비 2배 수준에 준하는 본딩 생산성을 요구하고 있어 기술적인 장벽이 있습니다 . 당사는 상당 기간 고객사와 DRAM 공정을 연구 협력해 왔고 , 2019년 하반기에는 DRAM용 장비 (HSB; High Speed Bonder)를 출시였고 , 양산 검증에 성공하여 반복 수주 모드에 진입하였습니다 . 현재 사실상 수입에만 의존하고 있는 DRAM용 프로브카드를 국산화할 수 있는 인프라를 제공하고 있습니다 . 또한 , Probe Cutting System(PCS), Probe Insert System(PIS), Wafer Inspection System(WIS), Laser Micro-Repair System(LMR) 등과 같은 추가적인 주변 장비의 턴키 공급 능력이 경쟁력을 제고하고 있습니다 .

동사의 dram용 high speed bonder(hsb).jpg [그림] DRAM용 High Speed Bonder (HSB)

D. 국내외 시장규모 추이 및 전망

당사의 pLSMB시장은 전방산업인 반도체 산업과 직접적으로는 프로브카드 시장의 추이와 전망에 연동되어 전개되는 상관관계에 있습니다 . 최근 몇 년 동안 프로브 카드 시장은 전자 제품 및 반도체 IC 수요의 증가로 인해 지속적인 성장세를 보이고 있습니다 . 반도체 시장 성장률보다 프로브 카드 시장의 성장률이 평균적으로 높게 형성되고 있는 것을 확인할 수 있는데 , 이는 반도체 시장의 침체기에도 반도체 제조사들은 원가절감과 초격차 기술의 유지를 위해 부품교체를 통한 신제품을 시장에 출시하기 때문에 프로브 카드에 대한 새로운 수요가 발생하여 프로브 카드 시장이 지속적인 성장을 하는 것으로 볼 수 있습니다 . 반도체 시장 활황기에는 부품교체를 통한 신제품 출시와 함께 생산량 자체를 증가시키기 때문에 프로브 카드 시장 역시 이와 동반하여 크게 성장하는 경향이 있습니다 .

- 글로벌 프로브카드 시장

조사기관에 따라 다소 차이는 있으나 , 글로벌 프로브 카드 시장의 규모는 2022년 기준 , 약 23.6억 달러 ~26.4억 달러로 추정되고 있으며 , 연평균 성장률 약 6.3%~10.8%로 성장하여 2028년 기준 약 36.9억 달러 ~59.7억 달러가 될 것으로 전망됩니다 . 반도체 검사용 프로브 카드 시장은 전자 제품의 수요 증가 , 기술 혁신 , 새로운 산업 분야의 발전 등 다양한 요인에 의해 성장이 예상됩니다 . 특히 인공 지능 , 자율 주행 자동차 , 5G 통신 기술 등의 산업 분야가 프로브 카드 시장의 성장을 견인할 것으로 전망되고 있습니다 .

( 단위 : 백만 달러 , %)

구분	2022	2023	2024	2025	2026	2027	2028	CAGR
DataBridge Market Research	2,630.12	2,914.17	3,228.90	3,577.62	3,964.00	4,392.11	4,866.46	10.80%
Express Wire	2,499.04	2,745.20	3,015.60	3,312.63	3,638.93	3,997.36	4,491.78	9.85%
Global Information	2,640.70	2,813.14	2,996.83	3,192.53	3,401.00	3,623.08	3,883.57	6.53%
Insight Partner	2,345.06	2,502.18	2,669.82	2,848.70	3,039.57	3,243.22	3,436.80	6.70%
Vantage Market Research	2,263.13	2,405.71	2,557.27	2,718.37	2,889.63	3,071.68	3,265.19	6.30%

※ 출처 : DataBridge Market Research(2021), Express Wire(2022), Global Information(2022), Insight Partner(2023), Vantage Market Research(2022) 자료를 바탕으로 추정 및 재가공

[ 표 ] 글로벌 프로브 카드 시장규모 및 전망

반도체 검사용 프로브 카드 시장은 사용되는 프로브 카드의 종류별로 텡스텐 블레이드형 , 에폭시 캔틸레버형 , Advanced 프로브 카드로 구분하고 있습니다 . 최근에 반도체의 고집적화와 저전력화가 가속되어지면서 고집적도의 반도체 검사에 사용할 수 없는 텅스텐 블레이드형과 에폭시 캔틸레버형 프로브 카드는 점차 그 수요가 감소하고 있는 추세이며 , 버티컬 프로브 카드와 MEMS 프로브 카드로 세분화 되는 Advanced 프로브 카드가 가장 큰 시장을 형성함과 동시에 시장의 수요도 증가하고 있습니다 . 특히 , Advanced 프로브 카드 중 MEMS 프로브 카드가 가장 큰 시장을 형성하고 있으며 , 반도체 시장의 지속적 성장에 힘입어 시장이 계속 성장하고 있고 , 2025년에는 약 21.6억 달러 규모로 성장할 것으로 전망됩니다 .

( 단위 : 백만 달러 , %)

품목 구분			2021	2022	2023	2024	2025
	전체 반도체 검사용 프로브카드		2,368.1	2,607.5	2,672.4	2,756.4	2,954.3
텅스텐 블레이드형		16.3	16.7	16.8	16.7	17.0	0.99%
에폭시 캔틸레버형		251.6	261.3	259.6	256.1	258.4	0.67%
	Advanced	2,100.2	2,329.6	2,396.0	2,483.6	2,678.9	6.27%
버티컬	320.0	339.3	340.3	330.2	331.1	0.86%
MEMS	1,638.0	1,834.5	1,892.8	1,980.4	2,166.0	7.23%
기타	142.3	155.9	162.8	173.1	181.8	6.32%

※ 출처 : VLSI Research(2021)

[ 표 ] 글로벌 반도체 검사용 프로브 카드 종류별 시장규모 및 전망

MEMS 프로브 카드는 전체 프로브 카드 시장 중 일부를 차지하며 , 전자 제품 및 MEMS 기기 수요의 증가로 인해 지속적인 성장세를 보이고 있습니다 . MEMS 프로브카드 수요량은 웨이퍼 생산에 소모품으로 적용되어 기본적으로 DRAM과 NAND Flash의 웨이퍼 투입 생산량 (Wafer Input Capacity)과 직접적인 연관성을 가지게 됩니다 . MEMS 기술을 활용한 프로브 카드는 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있고 , 프로브 핀 (Probe Pin)의 정확도 및 반복 테스트 등에서 탁월한 성능을 발휘하여 초기에는 DRAM 제품의 웨이퍼 테스트용으로 적용되었으나 , 현재는 NAND용 제품은 물론 비메모리용 제품까지 반도체 산업 내에서 적용분야가 확대되고 있습니다 . CIS (Camera Image Sensor)와 같은 비메모리용 MEMS 프로브카드를 비롯하여 최종 패키지 테스트에 사용되는 테스트 소켓 및 디스플레이를 구동하는 Driver IC 테스트 카드까지 MEMS 프로브 제품의 포트폴리오가 지속적으로 확대되고 있습니다 . 글로벌 MEMS 프로브 카드 시장은 조사기관에 따라 다소 차이는 있으나 , 2022년 기준 약 16.7억 달러 ~18.3억 달러에서 , 연평균 성장률 약 6.60%~12.01%로 성장하여 2028년 기준 약 26.2억 달러 ~36.2억 달러 수준이 될 것으로 전망되어 , 앞으로도 지속적인 성장이 될 것으로 예상됩니다 .

( 단위 : 백만 달러 , %)

구분	2022	2023	2024	2025	2026	2027	2028	CAGR
Expresswire	1,831.73	2,051.72	2,298.13	2,574.14	2,883.29	3,229.58	3,617.27	12.01%
Global Information	1,674.15	1,830.85	2,002.22	2,189.63	2,394.58	2,712.50	2,966.39	9.36%
VLSI Research	1,834.40	1,892.80	1,980.30	2,165.90	2,308.85	2,461.23	2,623.67	6.60%

※ 출처 : Express Wire(2023), Global Information(2021), VLSI Research (2021) 자료를 바탕으로 추정 및 재가공

[ 표 ] 글로벌 MEMS 프로브 카드 시장 규모 및 전망

낸드플래시 테스트용 MEMS 프로브 카드 시장은 2021년부터 DRAM 테스트용 MEMS 프로브 카드 시장을 앞지르며 2025년에는 약 5억 달러까지 성장할 것으로 예상됩니다 . DRAM 테스트용 MEMS 프로브 카드 시장 역시 꾸준한 성장세를 유지할 것으로 전망됩니다 . 비메모리 테스트용 MEMS 프로브 카드시장은 2025년까지 12.36억 달러까지 성장할 것으로 예상하고 있으며 , 이는 메모리 테스트용 MEMS 프로브 카드 시장 보다 더 큰 성장세를 보일 것으로 예측하고 있다는 것을 확인할 수 있습니다 .

최근 반도체 미세화 및 다핀화 대응 , MEMS 기술 등의 새로운 공정 적용 추세에 따라 과거 Blade형 및 Cantilever형 프로브 카드를 탈피하여 Advanced형 프로브 카드가 부각되고 있습니다 . 특히 , MEMS 기술을 활용함에 따라 기존의 기술에 비하여 테스트 시간과 비용을 줄일 수 있고 , Probe Pin의 정확도 및 반복 테스트 등에서 탁월한 성능을 발휘하여 MEMS 프로브 카드가 기존의 프로브 카드 시장에서 점유율을 확대할 것으로 예상됩니다 . 메모리 반도체의 웨이퍼 테스트 공정에 사용되는 프로브 카드의 80% 이상이 MEMS 프로브 카드가 사용되고 있습니다 . 비메모리 반도체 테스트공정에서 사용되는 프로브 카드는 다양한 형태로 진행됩니다 .

( 단위 : 백만 달러 , %)

품목 구분			2020	2021	2022	2023	2024	2025
전체 반도체 검사용 MEMS 프로브카드			1,451.3	1,637.9	1,834.4	1,892.8	1,980.3	2,165.9
	MEMS probe card for Memory		639.8	709.1	804.9	797.4	797.5	929.3
	DRAM	312.4	344.6	367.3	349.0	362.0	420.7	5.2%
NAND	313.4	353.1	421.8	434.4	423.9	498.2	6.6%
NOR	13.51	10.97	15.26	13.45	11.10	9.9	-1.7%
기타	0.4	0.4	0.4	0.5	0.5	0.6	5.9%
MEMS probe card for Non Memory		811.5	928.9	1,029.6	1,095.4	1,182.8	1,236.7	7.2%
Annual Growth		27.4%	12.9%	12%	3.2%	4.6%	9.4%

※ 출처 : VLSI Research(2021)

[ 표 ] 글로벌 MEMS 프로브 카드 품목별 시장 규모 및 전망

- 국내 프로브카드 시장

국내 반도체용 MEMS 프로브 카드 시장은 실제 수주기준과 고객사 수요를 기반으로 추정할 수 있는데 DRAM용 MEMS 프로브 카드 시장은 2021년에는 2,759억 원 규모에서 연평균 12.41% 성장하여 , 2025년에는 4,400억원 규모의 시장을 형성할 것으로 전망하고 있으며 , 낸드플래시용 MEMS 프로브 카드의 경우 2021년 1,914억 원 규모에서 연평균 16.36% 성장하여 2025년에는 3,500억 원의 시장을 형성할 것으로 전망됩니다 . 추가적으로 국내 비메모리 반도체용 MEMS 프로브 카드 시장은 2021년 1,575억 원 규모에서 연평균 16.31% 성장하여 2025년에는 2,870억원 규모를 형성할 것으로 전망됩니다 . 수요와 공급 규모의 특성에 있어 프로브 카드 시장 내에서 반도체 공정의 기술 진보에 의한 빠른 제품 세대교체에 대응할 수 있는 MEMS 프로브 카드의 수요는 급격히 증가하고 있습니다 .

( 단위 : 억원 , %)

품목 구분		2021	2022	2023	2024	2025	CAGR
	메모리 반도체용	4,673	5,500	6,000	6,800	7,900	14.07%
MEMS probe card for Memory	2,759	3,150	3,400	3,800	4,400	12.41%
DRAM	1,914	2,350	2,600	3,000	3,500	16.36%
비메모리 반도체용		1,575	1,890	2,100	2,590	2,870	16.31%

※ 출처 : VLSI Research(2021)

[ 표 ] 국내 MEMS 프로브 카드 품목별 시장 규모 및 전망

(2) 반도체 패키징 부문 (sLSMB 사업 부문 )

A. 개요

당사의 sLSMB(Solder Laser Systemic Micro-Bonding)사업부문은 Laser Micro-Solder Ball Jetting 프로세스를 바탕으로 전방산업인 반도체 산업 중 반도체 후공정인 패키징 공정용 장비 시장을 목표 시장으로 하여 사업을 확대해 가고 있습니다 . 반도체는 1947년 미국의 벨연구소에서 세계최초로 트랜지스트 개발에 성공하고 , 1958년 미국의 텍사스인스트루먼트 (TI: Texas Instrument)라는 회사에서 다수의 트랜지스터가 하나의 공간에서 집적되는 집적회로 (IC: Integrated Circuit)를 개발한 이래 반도체 산업은 주로 집적도 향상 및 통합에 주력해왔으며 , 1965년 인텔의 공동 설립자인 고든 무어가 ‘반도체의 집적도는 18개월마다 2배씩 증가한다 ’는 “Moore’s Law”는 반도체 개발자와 생산자들에게 시장 생존의 법칙으로 자리 잡아 왔습니다 .

반도체 기술 중 웨이퍼에 반도체 회로를 구현하는 전 공정의 발전이 현재는 소자간 간격 축소 및 종횡비 상승으로 전 공정 기술을 통한 성능 및 집적도 개선 한계에 봉착 , 이러한 환경 속에 28nm 이하의 반도체 전 공정 투자에 대한 비용이 증가하고 있기 때문에 반도체 전 공정 기술의 한계를 극복하고 , 저전력 , 고성능 , 소형 반도체를 위해 미세공정의 대안으로 반도체 패키징 기술이 주목받고 있는 상황입니다 .

1.jpg [그림] 반도체 제조공정의 기술적 한계 (출처:SEMATECH)

일반적으로 반도체 칩은 수많은 미세 전기 회로가 집적되어 있으나 그 자체로는 반도체 완성품으로서의 역할을 할 수 없으며 , 외부의 물리적 또는 화학적 충격에 의해 손상될 가능성이 존재합니다 . 따라서 반도체를 패키징하는 가장 큰 목적은 (1) 반도체 칩에 필요한 전원 공급 , (2) 반도체 칩과 메인 PCB간의 신호 연결 , (3) 반도체 칩에서 발생되는 열 방출 , (5) 반도체 칩을 외부의 습기나 불 보호하기 위함이었습니다 .

2.jpg [표] 반도체 패키징의 목적

반도체 패키징 기술은 크게 BGA (Ball Grid Array)와 FC (Flip Chip)이라는 두 단계의 큰 변화가 전체 시장의 판도를 바꾸는데 , 첫 번째 진화인 BGA는 1세대 리드프레임 (Lead Frame) 계열의 패키지들이 구리 동판에 에칭을 해서 배선을 만드는 방식에서 리드프레임 대신에 기판을 PCB로 대체한 것으로 , PCB는 여러 층으로 배선층을 구성할 수 있고 , 각각의 배선층을 Via를 통해 수직으로 연결할 수 있어 패키지 아래 전체 면적에 입출력 단자를 구성할 수 있는 장점을 이용하여 , I/O 단자 수가 획기적으로 증가시킨 것입니다 .

3.jpg Wire Bonding Interconnection (A) 와 Flip Chip Bonding Interconnection (B)

두 번째 큰 진화인 반도체 칩과 기판의 연결 방식 또한 기존의 금속선을 이용한 Wire Bonding 방식 대신에 반도체 칩의 외부 입출력 단자인 패드 위에 미세한 돌기 , 즉 범프 (Bump)를 형성시켜 뒤집어 연결하는 Flip Chip Bonding 방식으로 높은 핀 카운트 및 빠른 데이터 처리 속도를 구현하는데 현재 Flip Chip 패키지는 Advanced Package의 80% 점유율을 차지할 만큼 근간이 되었습니다 . 4.jpg [그림] 첨단 반도체 패키지별 매출 점유율 (출처:Yole Developpement)

이러한 BGA 계열의 기판과 FC 계열의 반도체 칩에 기반한 패키징 기술은 ‘솔더볼 ’이라는 새로운 소재의 도입과 급속한 시장 확대를 불러 왔습니다 . 고집적 반도체 칩의 실장에 적용되는 BGA 패키지는 일정한 간격 (Grid)으로 배열된 솔더볼을 용융시켜 칩과 제품 기판를 연결하는 방식을 말하는데 , 이를 위해서는 솔더볼이 필수적으로 요구되며 , 현재 다양한 제품군에 활용되고 있습니다 . 또한 첨단 반도체 칩의 회로가 더욱 미세화되고 , 패키징 공정기술이 발전함에 따라 FC 계열의 마이크로 솔더볼 (Microscale Solder Ball)의 수요가 확대되고 있습니다 .

5.jpg [그림] BGA 적용 분야 (출처: 한국전자통신연구원)

기술한 바와 같이 반도체 패키징 (Packaging)의 발전 과정은 다기능화에 따른 경박단소화가 핵심적인 Drive로 작용하여 반도체 칩의 3D 적층까지 실현되었습니다 . 그럼에도 불구하고 , 여전히 다기능화와 더 많은 입출력 단자 수에 대한 요구는 계속되고 있어 , 궁극적으로는 반도체 칩 간의 연결 방식 뿐만 아니라 Wafer Level에서나 Substrate Level에서 메인 PCB 패드와의 연결 입출력 단자 수도 우선적인 증가 요구에 직면하고 있습니다 . 동일한 공간 내에서 더 많은 입출력 단자를 만들기 위해서 가장 선호되는 방법은 단자 간의 피치를 최소화하는 것이며 , 결국 이를 위해서는 Bump의 크기가 축소되어야 실현이 가능합니다 . 고성능 CPU, GPU, 스위치 기판으로 활용되는 FC-BGA, FC-CSP와 같은 FC 기판 등은 향후 30um 이하 크기의 Micro Solder Ball을 적용한 기판까지 개발 중에 있습니다 .

FC-BGA 는 전통적으로 CPU, GPU, FPGA(Field Programmable Gate Array), ASIC 등 고성능 프로세서를 위해 사용됩니다 . 이들 프로세서는 주로 DRAM, 칩셋 등과 함께 패키지화되고 , 최근에는 모듈형 디자인 형태의 칩렛 (Chiplet)의 활용이 늘어나는 추세입니다 . 이 때문에 FC-BGA도 멀티칩 모듈화 (MCM)되고 있고 , Die간 고속 상호연결 기술에 대한 요구가 늘어나고 있어 FC-BGA의 패키지 크기는 20~80㎜가 되었고 , 기판 층수는 6층에서 22층까지 확대되었습니다 . 또한 더 촘촘한 간격의 Flip chip Bump를 구현하는 방향으로 진화하고 있어 대체로 10층 미만이지만 , 최근 24층 (11-2-11) 구조까지 고도화되었습니다 . 대면적 FC-BGA는 고성능 컴퓨팅 , 데이터 서버 , 통신에 사용되는 고성능 CPU, GPU, 스위치 등에 채용되는데 , 클라우드 컴퓨팅 , 인공지능 , 고속 통신 트렌드를 위해 필수적입니다 . 이러한 고성능 프로세서는 200㎟ 이상의 대면적 Die와 1,000~10,000개에 이르는 많은 I/O를 가지며 , 최적의 성능을 위해 메모리나 다른 프로세서와 함께 비싼 패키지 기판을 사용합니다 .

6.jpg [표] FC-BGA 기술 트렌드(출처: Prismark, 키움증권)

대면적 FC-BGA의 대표적 사례인 AMD의 Zen 2 서버 프로세서와 Intel의 Xeon 서버 CPU의 경우 두 제품의 기판 크기는 각각 75.4 x 58.5㎜ , 76.0 x 56.5㎜에 달하고 , AMD의 Zen 2 서버 프로세서는 여러 개의 대형 Die를 통합했고 , 20층 (9-2-9) 구조에 회로 선폭은 12㎛를 구현했습니다 . 이 외에도 Intel Xeon Platinum 9200 CPU용 FC-BGA 크기는 72.5 x 76.0㎜ , HiSilicon HI1620 서버 프로세서용 FC-BGA 크기는 60 x 75㎜로 대면적 FC-BGA는 고성능 제품을 중심으로 빠르게 적용되고 있습니다 .

7.jpg [그림] 대면적 FC-BGA 사례 (출처:AMD, Primask, AnandTech, HiSilicon)

이러한 Micro Solder Ball이 적용되는 대면적 FC-BGA 기판의 도입은 단순하게 Solder Ball과 Pad의 Size의 축소에 국한되지 않으며 , 새로운 공정 기술과 새로운 생산 설비의 수요를 일으키고 있습니다 . 실제 Solder Ball Size가 축소될수록 Reflow 공정과 Deflux 공정 이후에 Solder Ball이 탈락되는 ‘Missing Bump’와 같은 불량의 비중이 심각할 정도로 증가하며 , 이러한 제품은 FC-BGA 크기가 2배 , 3배로 커지면 4배 , 9배로 면적은 커지는데 대면적 때문에 수십만개의 솔더볼 중 하나만 탈락해도 , 10% 이상의 수율 감소로 직결되어 Repair 공정 없이는 시장에서 요구되는 수율과 Cost를 만족시킬 수가 없습니다 .

8.jpg [그림] 대면적 FC-BGA 솔더볼 누락 불량의 리페어 전후

기존의 솔더볼 범핑 표준 공정은 기판에 플럭스를 사전 도포하고 , 그 위에 솔더볼을 실장하여 광학식 비전 검사를 하고 솔더볼이 누락된 패드 위에 다시 솔더볼을 실장하고 리플로우 솔더링 및 플럭스 세정을 하는 공정이었습니다 . 이 경우에는 리플로우 솔더링 이전에 진행되는 공정이기 때문에 단순하게 솔더볼만 다시 누락된 위치에 실장하면 되는 간단한 공정입니다 . 물론 리플로우 솔더링과 플럭스 세정 중에 솔더볼이 누락되는 불량이 발생하나 , 양산에 적용 가능한 리페어 방법이 부재하여 이후 발생하는 불량에 대해서는 전량 폐기해 오고 있었습니다 . 하지만 , 기판이 고층화되어 상당한 원가 상승이 발생하고 , 대면적화되면서 생산능력 잠식효과가 커져 , 최종 단계에서의 리페어 솔루션이 기판 업체에서는 가장 시급한 현안이 되었습니다 .

이러한 현안에 대한 솔루션을 제공하기 위해 솔더볼 실장과 동시에 용융 접합이 가능한 Substrate LSMB 기술인 ‘Laser Solder Ball Jetting’ 프로세스를 기반으로 일괄 리페어 공정 자동화 장비를 개발 , 세계 굴지의 글로벌 CPU 기업에 기판을 제조하는 국내 대기업에 판매하여 세계 최초로 양산 적용에 성공하였습니다 .

111.jpg [그림] Laser Solder Ball Jetting Process

10.jpg [그림] Laser Solder Ball Jetting

현재 당사가 1차적으로 목표하고 있는 제품의 시장은 고성능 패키지 기판을 대표하는 Flip Chip 기판 제조 공정입니다 . Flip chip 기판의 침투율은 IC의 24%이자 MPU/GPU/AP의 100%이고 , 전체 웨이퍼 면적의 21%, 패키징 매출의 33%, Die 레벨 상호연결 (Interconnect)의 70%를 차지하고 있습니다 . 성능 뿐만 아니라 원가 효율성과 더 작은 Form Factor의 강점으로 작은 형상과 낮은 전압으로 인해 Die 코어까지 전력 분배 효율성을 향상시키고 , 변환 속도를 높일 수 있으며 , 패키지의 열적 성능을 향상시키고 , CSP 만큼 작은 패키지 사이즈를 구현하며 , 1,000개 이상의 I/O를 가진 고성능 패키지의 원가를 낮출 수 있는 장점이 있습니다 . 또한 세부 목표 시장인 FC-BGA, FC-CSP, 고밀도 Fan-Out, 2.5D/3D 솔루션을 포함한 고성능 패키지 기판은 전체 패키지 시장에서 수량 기준 3% 미만이지만 , 금액으로는 25%를 차지하고 있으며 , MCM, 2.5D, FO-MCM, 3D TSV(Through Silicon Via) 등 이른바 Multi-Die 패키징 솔루션의 확산에 따라 Flip chip 기판의 웨이퍼 면적과 매출액 기준 성장률은 훨씬 높아지고 있습니다 .

11.jpg [그림] Advanced IC Substrate 시장 성장율 (출처: Yole Intelligence 2023)

이러한 고객군 중 최근 반도체 기판의 반란이라고 할 만큼 공급 부족에 시달리며 , 공격적인 투자가 이어지고 있는 고성능 FC-BGA 기판의 경우 이비덴 , 신코덴키 등의 일본 기업와 유니마이크론 , 난야 등 대만 기업 들이 주도하고 있으며 , 최근 삼성전기와 대덕전자 등 국내 기업이 이 시장에 본격 참여하기 시작하였습니다 .

12.jpg [그림] 패키지기판 시장점유율 (출처: Primask, 삼성증권)

또한 현재의 시장 점유율과는 별도로 Fastprint, Shennan, Zhen Ding, Xin Ai와 같은 중국 기업들도 전세계 첨단 반도체 기판 투자액의 거의 절반에 가까운 투자를 하고 있어 , 관련 고성능 반도체 기판 시장은 지속적으로 성장할 것으로 전망하고 있습니다 .

13.jpg [그림] 2021-2022 Advanced IC Substrate Investment 순위 (출처: Yole Intelligence 2023)

산업통상자원부의 2022년도 기계장비산업기술개발사업 공고에 따르면 현재 솔더볼 마운터는 ATHLETE, SHIBUYA, HITACHI 등 일본 장비기업이 세계시장의 60% 이상을 점유하며 기술을 선도하고 있고 , 국내 시장의 경우 0.7억불 규모로 국내 기업은 범프간 피치가 상대적으로 큰 중급 기종에 대한 기술력을 보유하여 중급기종에 대해 국내업체들이 50% 정도로 국내 시장 일부를 점유하고 있으나 , 수요가 증가하는 High-End급은 일본메이커가 주도 하고 있습니다 . 당사의 제품은 현재 Reflow 및 Deflux 공정 이후 리페어 장비로서 유일하게 양산 검증을 받아 향후 시장을 선점할 수 있습니다 .

Manufacturer	Origin
Shibuya Corp	Japan
Seiko Epson Corporation	Japan
Ueno Seiki Co	Singapore
Hitachi	Japan
ASMPT	Hongkong
Athlete FA	Japan
PacTech	Germany
KOSES Co.,Ltd	Korea
Rokkko Group	Japan
AIMECHATEC, Ltd	Japan
Japan Pulse Laboratories	Japan
Shinapex Co	Japan
Zen Voce	Taiwan
Aurigin Technology	Singapore

[ 표 ] 주요 솔더볼 마운터 제조사

Laser Solder Ball Jetting Process 는 2000년대 초반에 부분적으로 HDD Head Assembly와 2010년대 중반에 Smart Phone용 Camera Module Assembly를 위한 솔더링 용도로 산업 현장에 활용되어 왔습니다 . 주로 BGA 패키징용 Size (250~760um)인 솔더볼을 이용하여 주로 전극을 연결하는 솔더링용으로 활용되어 왔으나 , 2020년대 들어 100um 이하의 마이크로 솔더볼을 이용한 반도체 패키징의 Bumping 공정으로 본격 확대되고 있으며 , 향후 다양한 산업군으로 확대 적용될 것으로 예상됩니다 .

당사는 Solder Ball 크기 관점에서 가장 하이테크 시장인 Flip Chip 기판 시장을 선점하여 Fan-Out WLP 등 Wafer Level Package 시장 , 그리고 카메라 모듈 및 BGA 패키징 시장까지 다양한 솔더볼 활용 시장에 제품을 최적화하여 사업을 확대시켜 나가고 있습니다 .

14.jpg [그림] sLSMB 주요 적용 사례

현재 직접적으로 sLSMB제품과 관련하여 최근 및 향후 5년간 투자가 가장 활발히 진행될 것으로 예상되는 시장은 앞서 언급한 FC-BGA 기판의 시장입니다 . FC-BGA 기판 사업에 투자가 집중하는 이유는 높은 수익성 때문입니다 . 높은 성능의 CPU 제품은 기판에 더 많은 전기 신호 채널을 필요로 하는데 , FC-BGA 기판은 이 칩들을 메인 기판에 밀착시켜 신호 손실을 줄이고 데이터 처리 속도까지 높일 수 있다는 장점이 있습니다 . 자율주행 , AI를 비롯한 신산업 성장과 함께 반도체가 처리해야 하는 데이터의 용량이 커지면서 이를 감당 할 수 있는 기판에 대한 수요도 자연스레 늘고 있습니다 . 글로벌 경기 불황에 따라 전자 제품의 부품 수요가 줄어든 상황에서 특히 대면적 FC-BGA 제조를 위한 공격적인 투자가 이어지고 있습니다

15.jpg [그림] FC-BGA 기판 생산능력 (Primask, 조선비즈)

대면적 FC-BGA 기판의 도입은 단순하게 Solder Ball과 Pad의 Size의 축소에 국한되지 않으며 , 새로운 공정 기술과 새로운 생산 설비의 수요를 일으킵니다 . 실제 Solder Ball Size가 축소될수록 Reflow 공정과 Deflux 공정 이후에 Solder Ball이 탈락되는 ‘ Missing Bump’와 같은 불량의 비중이 심각할 정도로 증가하며 , 이러한 제품은 FC-BGA 크기가 2배 , 3배로 커지면 4배 , 9배로 면적은 커지는데 대면적 때문에 수십만 개의 솔더볼 중 하나만 탈락해도 , 10% 이상의 수율 감소로 직결되어 Repair 공정 없이는 시장에서 요구되는 수율과 Cost를 만족시킬 수가 없습니다 . 이에 당사는 sLSMB 시장의 Flagship으로 Laser Micro-Bump Mounter (LBM) 제품에 대해 우선적인 영업 활동을 집중하여 시장을 선정할 계획이며 , 낙수 효과의 흐름대로 Top-Down Approach로 외연 확대 및 횡전개를 진행해 나가고 있습니다 .

sLSMB 의 시장은 크게 솔더볼의 관점과 산업적 연관성에 따라 아래와 같이 세분화되며 , 세그먼트별 시장 수요의 특징은 아래와 같습니다 .

Segment	특징 및 진입 장벽
Flip Chip Scale (40-80 ㎛ )	고성능 CPU/GPU, AI, Chat Bot 등 SiP 패키징 고도화 FC-BGA 대면적화가 전체 반도체 기판 시장을 주도 대면적화에 따른 Repair 중요성 부각 (수율 보상 ) 40-80 ㎛ 초소형 솔더볼 공정으로 기술 진입 장벽 큼 일본 , 대만 , 한국 , 중국 중심 시장 형성 인라인 Full Automation Repair Line 선호
BGA Scale (150-760 ㎛ )	1. OSAT 업체가 주요 고객처 형성 2. 소량 다품종 기판 생산 시장 또는 리페어 시장 3. Tact Time 과 같은 생산성이 중요한 구매 결정 요소 4. WLP, PLP, HBM 등 신규 시장 확대 속도 빠름 5. Ball Size 소형화로 Repair 수요 증가
Smart Phone Components (300~700 ㎛ )	1. Camera Module, VCM, 3D ToF Sensor 가 주 시장 2. Semi-Auto Type 의 장비 선호 3. 범용성에 대한 요구 높음 4. CIS 외 대부분 소량 다품종 시장

[ 표 ] sLSMB 세그먼트별 시장 특징

B. Value Chain

당사의 sLSMB 제품은 생산설비로서 고객사인 반도체 기판 제조사 , 반도체 패키징 제조사에 판매되며 반도체 기판의 경우 반도체 기판 제조사가 당사의 제품으로 기판을 생산하여 패키징 전문 기업인 OSAT 업체 또는 패키징 공정까지 내부에 갖춘 종합 반도체 기업인 IDM 업체에 직접 공급되며 . 반도체 패키지의 경우 OSAT 업체가 당사의 제품으로 패키지를 생산하여 공급되거나 , 패키징 공정까지 직접 수행하는 IDM업체에서 당사의 제품으로 직접 제조하여 사용하는 밸류체인을 갖추고 있습니다 . 따라서 당사 제품의 판매 대상은 전 세계 반도체 기판 제조사 , OSAT 업체 , IDM 업체입니다 .

dddd.jpg [그림] sLSMB 제품의 Value Chain

C. 경쟁 상황

일반적으로 플립칩 기판 SoP 공정 라인은 아래와 같이 AI Mechatech, Shibuya, Ueno Seiki와 같은 일본의 Solder Ball Mounter공급사가 Solder Ball 실장 직후 Solder Ball을 검사하여 Repair하는 Inspection & Repair System를 공급하는데 있어 시장의 지배적인 위치에 차지하고 있습니다 .

국내시장	해외 시장
Shibuya Corporation (Japan) AIMECHATEC, Ltd. (Japan) PacTech GmbH (Germany) KOSES Co., Ltd. (Korea) Laservall Asia Co, SSP Inc. (Korea)	Shibuya Corporation (Japan) AIMECHATEC, Ltd. (Japan) PacTech GmbH (Germany) KOSES Co., Ltd. (Korea) Laservall Asia Co, SSP Inc. (Korea) Shinapex Co., Ltd. (Japan) Zen Voce Corporation (Taiwan) Aurigin Technology Pte Ltd. (Singapore) Ocir Tech, Inc. (USA)

[ 표 ] 국내외 경쟁업체 현황

17.jpg [그림] 플립칩 기판 SoP (Solder-on-Pad) 공정 라인 구성

기존의 공정은 리플로우 솔더링과 플럭스 세정 중에 솔더볼이 누락되는 불량이 발생하나 , 기판 Unit의 면적이 작아 수율과 원가에 미치는 영향이 크지 않고 사실상 적용 가능한 리페어 방법이 부재하여 이후 발생하는 불량에 대해서는 전량 폐기해 오고 있었습니다 . 하지만 , 기판이 고층화되어 상당한 원가 상승이 발생하고 , 대면적화되면서 생산능력 잠식효과가 커져 , 리플로우 공정 이후 최종 단계에서의 리페어 솔루션이 기판 업체에서는 가장 시급한 현안이 되었습니다 .

18.jpg [그림] Post-Reflow Repair에 대한 신규 수요

Repair 의 경우 생산라인을 다시 거칠 수 없기 때문에 국부적으로 솔더볼 실장 공정과 용융 접합 공정을 동시에 일괄 구현이 가능한 'Laser Solder Ball Jetting' 프로세스가 솔루션으로 인정받게 되었습니다 . 다만 , 이러한 기술은 독일의 Pactech사와 당사만이 솔루션을 제공할 수 있어 시장에서 아래와 같이 두 가지 기술로 양분되어 충돌할 것으로 예상됩니다 . 당사의 경우 국내 대기업에 납품하여 Intel사와 AMD사의 양산 공정 적용 승인을 받았기 때문에 가장 유리한 조건에서 횡전개가 가능합니다 . 특히 대면적 FC-BGA의 경우 Ibiden과 Shinco Denki라는 일본 업체가 세계 FC-BGA 시장에서 1, 2위를 차지하고 있지만 , 일본 공급사 중에는 이와 같은 솔루션을 갖춘 공급사가 없어 , 당사의 Laser Bump Mounter 장비 사업은 당분간 시장 장악력이 지속적으로 강화될 전망입니다 .

19.jpg [그림] Pre-reflow Repair와 Post-Reflow Repair 공급사

C. 향후 전망

- 반도체 패키징 시장

전통적인 OSAT, IDM 업체의 영역이었던 패키징 분야가 거대 파운드리 , PCB 및 기판 업체들의 진입에 따라 다변화되며 경쟁이 심화 중에 있습니다 . OSAT 업체의 경우 이와 같은 위기를 타개하기 위해 패키징 분야뿐만 아니라 테스트 영역에 대한 투자를 확대함으로써 Turn-key 사업형태를 강화하는 추세입니다 . 기존 OSAT 업체들의 라인증설 투자와 파운드리 /IDM, PCB 업체의 투자가 더해져 2022년 해당 설비투자 시장은 지난해 대비 크게 활성화할 것으로 예상됩니다 .

2021 년 반도체 후공정 , 전장 업종의 시장은 매우 활발한 모습을 보였으며 , 이러한 여파로 OSAT 업체들은 원청사의 패키지 부품 수요 급증을 해소하기 위한 라인증설에 힘을 쏟았습니다 . 업체 관계자의 말을 종합해보면 , 최소 30개 라인에서 최대 50개까지 늘렸고 , 역대급의 생산용량 확대가 이뤄졌으며 , OSAT 업체와의 납품 계약에 생산설비 업체들은 매출 증대라는 특수를 누렸습니다 . 생산설비 업체들은 2021년과 같은 OSAT 업체들의 대규모 투자를 기대하기 어렵다고 판단하고 있으며 , 예년 수준의 투자가 진행될 것으로 예상하고 있습니다 . 2021년 3분기 반도체 경기 하락을 전망하는 경제 보고서가 나오면서 반도체 후공정 업체의 설비투자 위축을 걱정하는 목소리가 커졌고 , 코로나 19의 수혜를 누렸던 메모리 반도체 시장의 경기가 2021년 하반기부터 꺾임세로 돌아설 것이라는 예측이 많아지면서 설비투자의 위축이 예상됩니다 . 반도체 시장조사업체에서는 2021년 4분기 D램과 낸드플래시의 가격이 3분기 대비 하락할 것으로 예상하였고 , 이에 따라 대형 고객사들의 재고 조정이 반도체 경기 둔화를 이끌었을 것으로 분석하였습니다 . 더불어 IT 공급망 차질로 메모리 반도체 생산업체들이 수요처들이 요구하는 물량을 제대로 공급하지 못해서 당분간 경기 상승을 기대하기 어렵다고 분석하였습니다 . 2021년 3분기 ‘단계적 일상회복 (위드 코로나 )’ 전환으로 인해 비대면용 가전기기의 수요가 주춤해질 것이며 , 스마트폰 , 노트북 , TV 등 소비자 전자제품의 출하량 감소는 이들 제품에 사용되는 메모리 모듈 , D램 등의 가격 하락을 이끌 것이라는 예상이 많아졌습니다 .

2022 년도 반도체 업종의 비관적인 전망으로 OSAT 역시 보수적인 자세를 취할 것이라는 예상이 지배적이었으나 , 2021년 4분기에 분위기 반전 조짐이 나오기 시작했습니다 . 반도체 주요 지표의 개선과 공급 차질 이슈 완화로 해당 업종의 위축이 생각보다 짧아질 수 있다는 전망이 많아졌습니다 . 2021년 4분기 PC와 스마트폰 출하량이 전망치를 크게 웃돌았으며 , 대신증권에서는 “위드 코로나 전환이 예상대비 늦어진 점과 서버향 수요의 강세 모바일향 D램의 견조한 수요 , 공급차질 이슈의 완화 등 IT 업체의 재고 축적이 진행되었기 때문”이라고 이유를 설명하고 있습니다 . 시장경제 전문가들은 2021년 4분기의 상황을 고려하여 2022년에는 D램 현물가격 반등으로 실적 하락폭이 예상보다 길지 않을 것으로 예측하고 있으며 , 특히 2022년 4분기에는 언택트 효과 지속으로 PC 수요도 꾸준한 가운데 반도체 등 일부 부품의 공급 차질이 점차 해소되고 , IT 완제품과 부품업체의 가동률을 높여줄 것이라고 예상했습니다 .

2022 년 반도체 업종의 긍정적인 요인들이 많아짐에 따라 OSAT 업종 역시 2021년에 이어 활성화를 유지할 것으로 예상되며 , 특히 데이터 서버향 제품군 생산이 많아질 것으로 보입니다 . 신한금융투자의 “ 2022년 산업전망” 보고서에서는 4차 산업혁명의 구체화는 반도체 산업에 기회의 요인으로 , 2022년은 서버 관련 업종의 활성화를 예측했습니다 . 보고서에서는 , 코로나 19 이후 패러다임 변화 구간에서 메타버스 , 자율주행 , 전기차 등 반도체 신규 수요 확대 흐름이 가속화되고 있고 , 4차 산업혁명의 핵심소재는 데이터이며 , 데이터는 반도체가 처리한다고 밝히고 있습니다 . 4차 산업혁명은 IoT, Big Data, 인공지능 , CPS(Cyber Physical System) 등 4가지로 요약되는데 , IoT는 데이터를 취합 , Big Data는 취합한 데이터를 해석 , 인공지능은 해석한 데이터를 제어 /결정한다고 밝히고 있습니다 . 또한 , 보고서에서는 CPS는 가상 세계와 물리적 세계를 연결하는 주변 환경 기술이라고 설명한 뒤에 메모리 반도체 수요가 PC, 스마트폰 , 서버 등에만 의존했다면 , 향후에는 메타버스 , 자율주행 등 신규 수요를 바라볼 시점이며 자동차용 비메모리 공급부족이 해소되는 구간에서 메모리 반도체도 이에 대한 연결 수요를 체감할 수 있을 것이라고 전망하고 있습니다 .

20.jpg ※출처: "Global Semiconductor Assembly and Packaging Services Market", Technavio, 2020

[ 표 ] 글로벌 반도체 패키징 시장 규모 및 전망

21.jpg ※출처: "Global Semiconductor Assembly and Packaging Services Market", Technavio, 2020

[ 표 ] 국내 반도체 패키징 시장 규모 및 전망 Technavio 에 따르면 , 세계 반도체 패키징 시장은 2019년 671억 달러 규모이며 , 이후 연평균 3.17%씩 증가하여 2024년에는 784억 달러의 시장을 형성할 것으로 전망하였습니다 . 또한 , Technavio에 따르면 , 국내 반도체 패키징 시장은 2019년 13조 2,906억 원 규모이며 , 이후 연평균 3.43%씩 증가하여 2024년에는 15조 7,281억 원 규모의 시장을 형성할 것으로 전망하였습니다 . 국내 업체의 시장 점유율은 약 20%로 예측했고 , 고성능의 반도체 패키지의 수요는 지속적으로 늘어날 것으로 전망했습니다 . 휴대전화 , 태블릿 , 웨어러블 , 게임 콘솔 등과 같은 IT 기기의 다기능화와 경박단소화가 멈추지 않고 있어서 패키징 부품은 더 많이 필요할 것으로 예상됩니다 . 고성능 반도체 패키지의 수요 증대에 맞춰 반도체 업체들은 성능 개선에 매진하고 있습니다 . 그동안에는 전공정에서의 미세화를 통해 이뤄냈으나 고도의 기술력이 필요하고 대응 장비 가격 또한 고가라는 점을 들어 후공정으로 시선을 바꾸고 있습니다 . 즉 , 반도체 후공정 마지막 단계인 ‘패키징’의 고도화를 통해 성능 개선을 추구하고 있습니다 .

반도체 패키징 부품의 수요 증대로 인해 반도체 패키징 영역에 진출하는 업체들이 늘어나고 있고 , 반도체 제조 산업의 기업형태는 크게 종합반도체 (IDM, Integrated device manufacturer), 팹리스 , 디자인하우스 , 파운드리 , 패키징·테스트 (OSAT, Outsourced semiconductor assembly and test)으로 구분됩니다 . 일반적으로 IDM 및 파운드리에서 생산한 반도체 소자의 패키징 및 테스트 등 후공정은 외주 형태로 OSAT 기어에서 전문적으로 수행하고 있습니다 . 그런데 최근 패키지 초소형화와 그에 따른 기술적 나이도 증가에 따라 대형 파운드리 /IDM 기업들이 고도의 기술력에 기반을 둔 최첨단 3D 적층기술을 발표하고 패키징 공정을 자체적으로 소화하고 있습니다 . TSMC는 하이브리드 본딩 기술을 활용한 ‘ SoIC(System On Intergrated Chips)’을 발표하였고 , 삼성전자는 2021년 2.5D 패키징 기술인 ‘ I-Cuve4(Interposer-Cube4)’를 발표해 사업강화 의지를 간접적으로 드러냈습니다 .

- 반도체 패키징 장비 시장 현황 및 전망

반도체 성능 향상이 다양한 패키징 방식을 통해 이루어지면서 후공정 장비에 대한 중요성이 높아지고 있습니다 . 후공정 장비의 경우 매출처가 다변화되어 있어 전통적 반도체 전공정장비 (증착장비 , 식각장비 , 노광장비 )처럼 고객사 생산라인에서 10K당 몇 대가 적용된다고 도식화하기는 어렵지만 패키징 고도와에 따른 수요는 지속적으로 발생할 것으로 전망하였습니다 . VLSI에 따르면 , 2021년 Assembly(패키징 ) 장비 시장규모는 65억 달러 (9.5조 원 )로 Test 장비 58억 달러 (7.6조 원 ) 시장 규모를 처음으로 추월했습니다 . 패키지 장비의 성장 요인을 추정해보면 전공정 단계에서 미세화 속도가 둔화하면서 패키징 방식 변화로 반도체 성능을 개선하고 , 반도체 패키지 기술의 난도가 높아지면서 Assembly 장비의 수요가 늘어난 것으로 추정됩니다 .

반도체 업체들은 적층 패키징 기술을 통해 성능개선을 시도하고 있습니다 . 선단 공정 개발과 함께 2.5D/3D 이종접합 패키지 기술 개발을 적극 추진하고 있습니다 . 이종접합 패키지 기술은 칩간의 밀도를 높여 신호 전달이 빠르고 전력 소모도 줄여줌 . 글로벌 주요 업체들의 3D 패키지 기술을 보면 TSMC는 SoIC, 인텔은 Foveros, 삼성전자는 X-Cube를 개발했습니다 .

22.jpg ※출처: "Semiconductor Manufacturing Equipment Market", Markets and Markets, 2020

[ 표 ] 국내 패키징 장비 시장 규모 및 전망 Markets and Markets 시장동향 보고서에 따르면 , 국내 패키징 장비 시장은 2016년 2,611억 원에서 연평균 36.8% 성장하여 2019년 6,683억 원 수준이며 , 2019년 이후 연평균 8.72% 성장하여 2025년에는 1조 1,035억 원의 시장규모를 형성할 것으로 전망됩니다 .

23.jpg ※출처: "Semiconductor Manufacturing Equipment Market", Markets and Markets, 2020

[ 표 ] 세계 패키징 장비 시장 규모 및 전망

Markets and Markets 시장동향 보고서에 따르면 , 세계 패키징 장비 시장은 2016년 1,571백만 달러에서 연평균 21.24% 성장하여 2019년 2,800백만 달러 수준이며 , 2019년 이후 연평균 8.49% 성장하여 2025년에는 4,566백만 달러의 시장규모를 형성할 것으로 전망됩니다 .

첨단 패키징 시장의 성장은 Assembly 장비 시장의 성장을 이끌고 있는데 이는 반도체 패키지 기술의 난이도가 높아지면서 Assembly 장비의 수요가 늘어났기 때문입니다 . 첨단 패키징은 Wire bonding을 사용하지 않은 패키징입니다 . 기존 Wire bonding에서는 1차 연결단자로 본딩와이어 , 2차 연결단자로 리드플레임을 많이 써왔습니다 . Advanced Packaging은 1차 연결단자로 솔더범프 또는 골드범프 , 2차 연결단자로 솔더볼을 사용합니다 . 범프와 솔더볼은 본딩 와이어나 리드프레임보다 연결할 수 있는 I/O 개수가 많고 패키지 내 차지하는 부피가 작아 고성능 반도체에 많이 활용되고 있습니다 . CPU나 AP처럼 비메모리 반도체가 고사양화되면서 와이어 본딩 대신 플립칩 공정 또는 Fam-out 공정이 사용되기 시작했습니다 . 후공정 업체 한미반도체는 CPU처럼 고성능 칩에 사용되는 FC-BGA기판 장비 수요가 늘어나면서 대형 기판을 절단하는 장비 매출이 증가하고 있습니다 .

비메모리 반도체는 다품종 소량생산의 특징이 있고 , 칩의 종류마다 다른 후공정을 거쳐야 하며 칩의 테스트 또한 다른 방식으로 진행되어야 합니다 . AI, 자율주행 , 5G 발전에 따라 다양한 칩에 다양한 패키지 방식과 장비가 필요하게 되었고 , 제한된 응용처에 적용되던 후공정 기술이 AI, 자율주행 , 5G 등 다양한 응용처에 적용되기 시작했습니다 . 예를 들어 과거에는 EMI shield 스퍼터링 기술은 아이폰 일부 칩에 제한적으로 적용되어왔지만 , 이제는 맥북용 칩에도 적용되고 있습니다 . EMI shield 스퍼터링 기술은 가전제품뿐만 아니라 항공우주 분야인 저궤도 위성통신에도 사용될 예정입니다 . 또한 , 고성능 고사양 반도체 수요가 증가하면서 칩의 크기를 물리적으로 줄이면서도 집적도를 높이기 위해 멀티 칩 혹은 멀티 다이 패키징이 적용되고 있습니다 . 이러한 멀티 다이 패키징 확대 영향으로 이오테크닉스의 레이저 마킹 공정이 여러 번 쓰이게 됩니다 . 고성능 고사양 반도체에 중요한 기술은 속도이고 , 이를 높이기 위해서는 입출력단자수를 늘려야 합니다 . 입출력단자수를 늘리기 위해 범프 크기가 축소되고 범프를 사용하지 않는 패키징 방식이 개발되고 있습니다 . 이러한 범프 크기 불량을 측정하는 검사장비의 수요도 증가하고 있습니다 .

( 다) 조 직도

조직도.jpg 조직도

2. 주주총회 목적사항별 기재사항 □ 재무제표의 승인

제1호 의안 : 제15기(2023.1.1-2023.12.31) 재무제표 승인의 건

가. 해당 사업연도의 영업상황의 개요

Ⅲ.경영참고사항의 1. 사업의 개요를 참조하시기 바랍니다.

나. 해당 사업연도의 대차대조표(재무상태표)ㆍ손익계산서(포괄손익계산서)ㆍ자본변동표ㆍ현금흐름표ㆍ이익잉여금처분계산서(안) 또는 결손금처리계산서(안)

※ 아래의 재무제표는 감사전 재무제표입니다. 외부감사인의 감사의견을 포함한 최종 재무제표는 2024년 3월 14일 전자공시시스템 (http://dart.fss.or.kr)에 공시예정인 당사의 감사보고서를 참조하시기 바랍니다.1) 연결 재무제표- 해당사항 없음2) 별도 재무제표 당사는 한국채택국제회계기준(K-IFRS)준용하여 재무제표를 작성하였습니다.- 별도 재무상태표

재 무 상 태 표

제 15(당) 기 2023년 12월 31일 현재
제 14(전) 기 2022년 12월 31일 현재
회사명 : 주식회사 다원넥스뷰	(단위 : 원)

과목	제15(당)기말		제14기말		제14(전)기초
자산
유동자산		11,866,187,185		5,931,021,092		4,349,912,616
현금및현금성자산	3,710,236,089		1,839,917,200		2,102,672,911
매출채권	573,695,162		491,026,338		518,452,021
재고자산	6,574,876,417		3,138,838,745		1,442,739,844
당기법인세자산	2,930,720		289,580		246,130
기타금융자산(유동)	33,423,561		193,873,668		205,013,290
기타자산	971,025,236		267,075,561		80,788,420
비유동자산		5,023,755,821		4,651,411,328		5,434,666,775
유형자산	3,884,429,267		3,309,251,966		3,982,030,638
무형자산	118,731,475		292,530,478		506,721,959
기타금융자산(비유동)	54,131,692		19,532,846		16,104,462
이연법인세자산	966,463,387		1,030,096,038		929,809,716
자산총계		16,889,943,006		10,582,432,420		9,784,579,391
부채
유동부채		12,218,964,412		24,403,803,396		33,577,735,496
매입채무	4,189,332,277		620,867,550		151,734,299
차입부채(유동)	2,350,000,000		5,018,881,132		4,445,681,515
기타금융 부채(유동)	805,082,716		16,421,160,505		26,235,090,447
리스부채(유동)	107,941,699		50,790,807		62,452,736
판매보증충당부채	51,767,450		157,335,048		140,132,673
기타유동부채	4,714,840,270		2,134,768,354		2,542,643,826
비유동부채		887,502,819		692,271,399		858,730,300
기타금융부채(비유동)	61,794,930		-		-
순확정급여부채	732,434,529		600,743,428		720,698,208
리스부채(비유동)	93,273,360		91,527,971		138,032,092
부채총계		13,106,467,231		25,096,074,795		34,436,465,796
자본
자본금	631,250,000		458,750,000		458,750,000
기타불입자본	22,155,835,636		4,145,426,475		4,145,426,475
결손금	-19,003,609,861		-19,117,818,850		-29,256,062,880
자본총계		3,783,475,775		-14,513,642,375		-24,651,886,405
부채와자본총계		16,889,943,006		10,582,432,420		9,784,579,391

- 별도 포괄손익계산서

포 괄 손 익 계 산 서

제15(당)기 2023년 01월 01일부터 2023년 12월 31일까지
제14(전)기 2022년 01월 01일부터 2022년 12월 31일까지
회사명 : 주식회사 다원넥스뷰	(단위 : 원)

과목	제15(당)기		제14(전)기
매출액		10,653,525,632		10,991,070,063
매출원가		8,657,830,441		7,750,040,947
매출총이익		1,995,695,191		3,241,029,116
판매비와관리비	2,636,658,601		2,468,224,576
영업이익		-640,963,410		772,804,540
기타수익	505,074,321		158,849,343
기타비용	44,376,398		575,074,325
금융수익	704,588,442		9,764,544,688
금융원가	378,838,468		352,706,527
법인세비용차감전순이익		145,484,487		9,768,417,719
법인세비용		56,837,649		-157,744,414
당기순이익		88,646,838		9,926,162,133
기타포괄손익		25,562,151		212,081,897
후속적으로 당기손익으로 재분류되지 않는 포괄손익:
확정급여제도의 재측정요소	25,562,151		212,081,897
총포괄손익		114,208,989		10,138,244,030
주당손익
기본주당순손익		18		2,164
희석주당순손익		-54		72

- 별도 자본변동표

자 본 변 동 표

제 15(당) 기 2023년 01월 01일부터 2023년 12월 31일까지
제 14(전) 기 2022년 01월 01일부터 2022년 12월 31일까지
회사명 : 주식회사 다원넥스뷰	(단위 : 원)

구 분	자본금	기타불입자본			결손금	총 계
주식발행초과금	주식선택권	계
---	---	---	---	---	---	---
수정 전 2022.1.1(전기초)	458,750,000	2,959,447,172	5,389,094	2,964,836,266	-5,052,143,127	-1,628,556,861
회계오류 수정	-	912,479,303	268,110,906	1,180,590,209	-24,203,919,753	-23,023,329,544
수정 후 2022.01.01(전기 초)	458,750,000	3,871,926,475	273,500,000	4,145,426,475	-29,256,062,880	-24,651,886,405
총포괄손익
당기순이익	-	-	-	-	9,926,162,133	9,926,162,133
확정급여채무재측정요소	-	-	-	-	212,081,897	212,081,897
2022.12.31(전기말)	458,750,000	3,871,926,475	273,500,000	4,145,426,475	-19,117,818,850	-14,513,642,375
2023.01.01(당기초)	458,750,000	3,871,926,475	273,500,000	4,145,426,475	-19,117,818,850	-14,513,642,375
총포괄손익
당기순이익	-	-	-	-	88,646,838	88,646,838
전환상환우선주의 전환	172,500,000	18,010,409,161	-	18,010,409,161	-	18,182,909,161
확정급여채무재측정요소	-	-	-	-	25,562,151	25,562,151
2023.12.31(당기말)	631,250,000	21,882,335,636	273,500,000	22,155,835,636	-19,003,609,861	3,783,475,775

- 별도 현금흐름표

현 금 흐 름 표

제 15(당) 기 2023년 01월 01일부터 2023년 12월 31일까지
제 14(전) 기 2022년 01월 01일부터 2022년 12월 31일까지
회사명 :주식회사 다원넥스뷰	(단위 : 원)

구분	제15(당)기		제14(전)기
영업활동으로 인한 현금흐름		3,058,011,548		-275,603,350
당기순이익	88,646,838		9,926,162,133
조정	428,309,802		-7,179,219,020
감가상각비	550,313,985		455,363,670
무형자산상각비	194,666,403		235,811,481
무형자산손상차손	-		523,343,971
퇴직급여	318,857,633		362,226,935
대손충당금환입	835,039		-1,369,517
재고자산평가손실(환입)	-371,238,683		371,238,683
이자비용	378,838,468		352,706,527
판매보증비(환입)	-1,630,080		414,004,940
외화환산손실	13,999,293		29,743,392
법인세비용(수익)	56,837,649		-157,744,414
이자수익	-23,224,602		-8,126,110
잡이익	-7,425,677		-
외화환산이익	-1,155,786		-
파생상품평가이익	-681,363,840		-9,756,418,578
영업활동으로 인한 자산부채의 변동	2,638,253,216		-2,971,092,068
매출채권의 감소(증가)	-83,639,613		28,795,200
재고자산의 증가(감소)	-3,064,798,989		-2,067,337,584
기타금융자산의 감소(증가)	160,392,002		-139,736,268
기타자산의 증가(감소)	-703,949,675		-186,287,141
매입채무의 증가(감소)	3,568,974,487		469,133,251
기타금융부채의 증가(감소)	439,949,985		-58,339,763
기타부채의 증가(감소)	2,580,071,916		-407,875,472
판매보증충당부채의 감소(증가)	-103,937,518		-396,802,565
퇴직금의 지급	-154,809,379		-212,641,726
이자의 수취	20,143,916		8,073,616
이자의 지급	-114,701,084		-59,484,561
법인세의 납부	-2,641,140		-43,450
투자활동으로 인한 현금흐름		-1,013,563,975		-180,048,969
단기대여금의 감소	-		150,000,000
유형자산의 취득	-955,196,575		-305,928,969
무형자산의 취득	-20,867,400		-21,620,000
보증금의 증가	-39,991,860		-2,500,000
보증금의 감소	2,491,860		-
재무활동으로 인한 현금흐름		-160,560,000		222,640,000
단기차입금의 차입	-		2,400,000,000
단기차입금의 상환	-50,000,000		-2,047,000,000
유동성장기부채의 상환	-		-62,500,000
리스부채의 지급	-110,560,000		-67,860,000
현금및현금성자산의 증가(감소)		1,883,887,573		-233,012,319
기초 현금및현금성자산		1,839,917,200		2,102,672,911
외화표시 현금및현금성자산의 환율변동 효과		-13,568,684		-29,743,392
기말 현금및현금성자산		3,710,236,089		1,839,917,200

- 이익잉여금처분계산서(결손금처리계산서)(안)

이익잉여금처분계산서 (결손금처리계산서)(안)

제15(당)기 2023년 01월 01일부터 2023년 12월 31일까지
제14(전)기 2022년 01월 01일부터 2022년 12월 31일까지
처리예정일 2024년 03월 26일	처리확정일 2023년 03월 29일
회사명 : 주식회사 다원넥스뷰	(단위 : 천원)

구분	당기		전기
처리예정일: 2024년 3월 26일		처리확정일: 2023년 3월 29일
---	---	---	---	---
미처리결손금		-19,003,610		-19,117,819
전기이월미처리결손금	-19,117,819		-29,256,063
당기순이익	88,647		9,926,162
확정급여제도의 재측정요소	25,562		212,082
결손금처리액		-		-
차기이월미처리결손금		-19,003,610		-19,117,819

※ 상세한 주석사항은 2024년 3월 14일 전자공시시스템(http://dart.fss.or.kr)과 당사 홈페이지(http://www.nexview.co.kr/, 고객지원→게시판→감사/검토보고서)에 공시예정인 당사의 감사보고서를 참조하시기 바랍니다.

- 최근 2사업연도의 배당에 관한 사항 해당사항 없습니다.

□ 이사의 선임

제2호 의안 : 이사 선임의 건

제2-1호 의안 : 사내이사 남기중 선임의 건 제2-2호 의안 : 사내이사 이동건 선임의 건 제2-3호 의안 : 사외이사 김후식 선임의 건 제2-4호 의안 : 사외이사 박하진 선임의 건

가. 후보자의 성명ㆍ생년월일ㆍ추천인ㆍ최대주주와의 관계ㆍ사외이사후보자 등 여부

후보자성명	생년월일	사외이사후보자여부	감사위원회 위원인 이사 분리선출 여부	최대주주와의 관계	추천인
남기중	1965.01.03	사내이사	-	관계없음	이사회
이동건	1972.07.02	사내이사	-	관계없음	이사회
김후식	1964.09.14	사외이사	-	관계없음	이사회
박하진	1974 .01. 05	사외이사		관계없음	이사회
총 ( 4 ) 명

나. 후보자의 주된직업ㆍ세부경력ㆍ해당법인과의 최근3년간 거래내역

후보자성명	주된직업	세부경력		해당법인과의최근3년간거래내역
기간	내용
---	---	---	---	---
남기중	다원넥스뷰대표이사	1983~19961999~20001996~20072007~20102010~현재	연세대학교 물리학과 박사University of Emory/Post Doc고등기술연구원 레이저응용 기술센터장(주)제이스텍 CTO/사업본부장(주)다원넥스뷰 대표이사	없음
이동건	다원넥스뷰사업본부장	1991~19951997~20032004~20052006~20112013~20142014~현재	서울대학교 학사미래산업(주)미래연구센터 연구기획신나래콤(주)대표이사시냅스이미징(주)사업총괄부장(주)다원시스 해외영업팀장(주)다원넥스뷰 사업본부장	없음
김후식	뷰웍스 대표이사	198719971990~19991999~20012002~현재	서울대학교 물리학 학사KAIST 물리학 석사삼성항공 선임연구원美 ADO社 Senior Engineer뷰웍스 대표이사	없음
박하진	HB 인베스트먼트 전문위원	1995199720211997~20002000~20012001~20082008~20122018~현재 2020~ 현재	KAIST 경영정책학과 학사 KAIST 경영공학과 석 사 한성대학교 경영학과 박사 LG-EDS CALS&CIM 연구소 투데이홀딩스 팀장 발텍컨설팅 , KT, CVA, 베어링포인트 팀장 베넥스인베스트먼트 부장 HB인베스트먼트 전문위원 엑스트라이버 기타비상무이사	없음

다. 후보자의 체납사실 여부ㆍ부실기업 경영진 여부ㆍ법령상 결격 사유 유무

후보자성명	체납사실 여부	부실기업 경영진 여부	법령상 결격 사유 유무
남기중	해당 사항 없음	해당 사항 없음	해당 사항 없음
이동건	해당 사항 없음	해당 사항 없음	해당 사항 없음
김후식	해당 사항 없음	해당 사항 없음	해당 사항 없음
박하진	해당 사항 없음	해당 사항 없음	해당 사항 없음

라. 후보자의 직무수행계획(사외이사 선임의 경우에 한함)- 김후식 사외이사

1.전문성본 후보자는 주식회사 뷰웍스 대표로 경영자로서의 폭넓은 지식 및 경험, 경영에 대한 우수한 스킬 및 이해를 갖추고 있습니다.이를 바탕으로 이사회에 참여함으로써, 이사회의 전문성과 투명성을 높이기 위해 경영진에 대한 자문 역할을 충실히 수행하여 주주권익을 보호하고 회사의 지속 성장과 발전에 기여하고자 합니다.2.독립성

본 후보자는 사외이사로서 상법 제382조 제3항 및 제542조의8 제2항에 근거 사외이사 부적격사유에 해당하지 않음을 확인하였으며, 독립적인 지위에서 이사와 경영진의 경영활동에 대한 객관적인 모니터링과 감시역할을 수행하고 경영진과 대주주로부터 독립적으로 의사결정할 것입니다.

3. 이사의 기능

본 후보자는 사외이사로서의 지녀야 할 전문성과 독립성을 바탕으로 회사와 주주의 이익을 위해 아래의 기능을 수행하고자 합니다.

① 회사의 경영전략 및 업무 집행에 관련된 중요한 사항

② 이사진 및 경영진의 직무 집행의 감독

③ 기타 법령 및 정관, 이사회 운영 규정에서 정하는 사항

4. 책임과 의무에 대한 인식 및 준수

본 후보자는 선관주의와 충실 의무, 보고 의무, 감시 의무, 상호 업무집행 감시 의무, 경업금지 의무, 자기거래 금지 의무, 기업비밀 준수의무 등 상법상 사외이사의 의무를 인지하고 있으며 이를 엄수할 것입니다.

- 박하진 사외이사

1.전문성본 후보자는 HB인베스트먼트의 전문위원으로서의 경영 전반에 대한 지식과 투자유치 등에 대한 예리한 통찰력과 탁월한 전문성을 바탕으로 이사회에 참여함으로써, 이사회의 전문성과 투명성을 높이기 위해 경영진에 대한 자문 역할을 충실히 수행하여 주주권익을 보호하고 회사의 지속 성장과 발전에 기여하고자 합니다.2.독립성

본 후보자는 사외이사로서 상법 제382조 제3항 및 제542조의8 제2항에 근거 사외이사 부적격사유에 해당하지 않음을 확인하였으며, 독립적인 지위에서 이사와 경영진의 경영활동에 대한 객관적인 모니터링과 감시역할을 수행하고 경영진과 대주주로부터 독립적으로 의사결정할 것입니다.

3. 이사의 기능

본 후보자는 사외이사로서의 지녀야 할 전문성과 독립성을 바탕으로 회사와 주주의 이익을 위해 아래의 기능을 수행하고자 합니다.

① 회사의 경영전략 및 업무 집행에 관련된 중요한 사항

② 이사진 및 경영진의 직무 집행의 감독

③ 기타 법령 및 정관, 이사회 운영 규정에서 정하는 사항

4. 책임과 의무에 대한 인식 및 준수

본 후보자는 선관주의와 충실 의무, 보고 의무, 감시 의무, 상호 업무집행 감시 의무, 경업금지 의무, 자기거래 금지 의무, 기업비밀 준수의무 등 상법상 사외이사의 의무를 인지하고 있으며 이를 엄수할 것입니다.

마. 후보자에 대한 이사회의 추천 사유

<남기중 사내이사 후보자> 본 후보자는 회사의 창립자이자 기술과 경영의 핵심으로 근무하고 있어 사내 이사로 재선임코자 추천 합니다. <이동건 사내이사 후보자> 본 후보자는 회사의 기술 개발 및 사업 총괄의 역할을 수행하고 있어 사내 이사로 재선임코자 추천 합니다. <김후식 사외이사 후보자>본 후보자는 2002년부터 주식회사 뷰웍스의 대표로 재임하며 의료기기 및 산업용 카메라 산업에서 정확한 포지셔닝 전략 수립하여 회사의 지속적인 성장을 위해 크게 기여하고 있으며, 전반적 제조산업에 대한 통찰력, 분석력, 경영자문에 대한 전문성 등을 갖추고 있어 회사의 사업에 대한 기여를 기대하는 바 사외 이사로 추천합니다. <박하진 사외이사 후보자>본 후보자는 경영에 대한 풍부한 경험을 갖추고 있으며 투자회사의 전문위원으로 재무관리와 리스크 관리 분야에 대한 전문지식과 통찰력을 바탕으로 재무전문성이 요구되는 각종 안건을 심도있게 검토하고 회계분야, 이사회 및 회사업무 전반에 대한 경영과 회계 투명성에 기여할 것으로 기대하는 바 사외이사로 추천합니다.

확인서 사내이사 남기중 확인서_1.jpg 사내이사 남기중 확인서 사내이사 이동건 확인서_1.jpg 사내이사 이동건 확인서 2024 사외이사 선임 확인서(임원)_김후식 사외이사_1.jpg 사외이사 김후식 확인서 사외이사 확인서_박하진_1.jpg 사외이사 박하진 확인서

※ 기타 참고사항 : 해당사항 없음

□ 이사의 보수한도 승인

가. 이사의 수ㆍ보수총액 내지 최고 한도액

(당 기)

이사의 수 (사외이사수)	6 (3)
보수총액 또는 최고한도액	10,000백만원

(전 기)

이사의 수 (사외이사수)	4 (1)
실제 지급된 보수총액	289백만원
최고한도액	600백만원

※ 기타 참고사항

□ 감사의 보수한도 승인

가. 감사의 수ㆍ보수총액 내지 최고 한도액

(당 기)

감사의 수	1
보수총액 또는 최고한도액	60백만원

(전 기)

감사의 수	1
실제 지급된 보수총액	12백만원
최고한도액	60백만원

※ 기타 참고사항

IV. 사업보고서 및 감사보고서 첨부

가. 제출 개요 2024년 03월 14일1주전 회사 홈페이지 게재

제출(예정)일	사업보고서 등 통지 등 방식

나. 사업보고서 및 감사보고서 첨부

당사는 2024년 3월 14일 사업보고서 및 감사보고서를 전자공시시스템(http://dart.fss.or.kr)에 공시하고 당사 홈페이지(http://www.nexview.co.kr/, 고객지원→게시판→감사/검토보고서)에 게재할 예정입니다. 향후 이 사업보고서는 주주총회 이후 변경되거나 오기 등이 있는 경우 수정될 수 있으며, 이 경우 전자공시시스템(http://dart.fss.or.kr)에 정정보고서를 공시할 예정이므로 이를 참조하시기 바랍니다.

※ 참고사항

□ 주총 집중일 주총 개최 사유- 해당 사항 없음