Maxscend Microelectronics Company Limited — Management Reports 2026

Apr 27, 2026

江苏卓胜微电子股份有限公司

2025年度总经理工作报告

尊敬的公司各位董事：

2025年，江苏卓胜微电子股份有限公司（以下简称“公司”）管理层在董事会的领导下，严格按照《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》等法律法规和《江苏卓胜微电子股份有限公司章程》的要求，忠诚勤勉地履行职责，贯彻落实股东会、董事会决议，推动各项工作有序开展。在此，我谨代表公司管理层就2025年度工作情况向董事会作总结汇报，具体如下：

一、2025年度主要经营情况概述

2025年度，公司实现营业收入37.26亿元，归属于上市公司股东的净利润-2.93亿元，同比下滑 172.89%。公司业绩变动主要系在向Fab-Lite模式转型过程中，因持续的能力建设投入及供应转化影响、行业竞争持续激烈、供给侧部分原材料产品交付环节紧张、下游客户库存结构优化调整等因素，对公司部分产品出货节奏与规模形成了一定影响。然而，短期经营波动并未改变公司长期向好的发展态势。

得益于芯卓工艺技术平台的持续建设与战略逐步落地，公司在技术研发、供应链优化及市场拓展等维度取得实质性突破：自主可控的全国产供应链能力基本成型，高端射频模组等核心产品成功导入品牌客户并持续放量，设计与工艺深度协同的一体化研发体系日趋完善。这些能力建设为公司在复杂市场环境中构筑了差异化竞争壁垒，也为后续业务拓展打开了向上空间。现阶段行业景气受到AI需求引发的存储供给侧结构性短缺与价格上涨对下游终端的冲击、新品规模放量受上游部分原材料需求挤兑等共同影响，阶段承压。随着AI技术的不断发展，公司所处行业面临的市场机遇及新工艺价值释放仍在循序渐进。

二、2025年度主要工作回顾

（一）加大研发投入，深化“设计+工艺”协同创新，夯实核心技术根基

报告期内，公司围绕芯卓资源平台持续加大研发投入，推动研发模式从“设计+工艺+材料”全链路协同创新升级。依托自有工艺技术平台的深度支撑，公司打破了传统Fabless模式下设计与制造割裂的局限，实现了器件定义与工艺开发的前置融合，开启了“设计牵引工艺、工艺反哺设计”的协同演进新阶段，为公司产品性能突破与跨领域拓展打开多维空间。

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公司坚持以客户需求与市场演进为牵引，以技术研发为基础，以工艺、材料创新为抓手，以资源平台为保障，持续强化研发投入力度，加速产品迭代升级，并高效推动新品导入产线与规模化放量。报告期内，公司研发投入86,686.39万元，较上年同期下降13.06%。近年来，随着公司战略布局的持续落地，研发投入占营业收入比例呈逐年上升趋势，2023-2025年度分别为14.37%、22.22%和23.26%，彰显了公司面向长远发展的战略决心。

在自主创新与知识产权布局方面，公司建立了与战略深度协同的知识产权合规管理体系，形成了“技术研发—专利布局—产业支撑”三位一体的协同生态。截至报告期末，公司累计取得专利170项，其中国内专利168项（含发明专利95项）、海外专利2项（均为发明专利）；累计取得集成电路布图设计13项。2025年度新增专利申请152项，其中发明专利109项、实用新型专利43项，新增申请主要集中于射频滤波器产品等高端模组核心领域，进一步筑牢了公司在关键赛道上的技术护城河。

（二）构建能力闭环，为多领域拓展注入新动能

在产业深度融合的背景下，资源整合能力已成为企业核心竞争力的关键变量。报告期内，公司依托芯卓工艺技术平台，系统推进产品能力、技术能力与平台能力的深度协同，为公司向多领域拓展注入系统性动能。

在产品维度，公司以工艺技术平台为底座，将特色工艺能力嵌入产品定义，为客户提供从分立器件到高集成度模组的差异化解决方案，为拓展复合应用、丰富产品矩阵、跨界行业布局奠定坚实基础。

在技术维度，公司持续深耕6英寸特种工艺、12英寸异质硅基工艺平台及先进异构集成三大核心技术平台，延展“异质+异构”技术路线，推动材料、工艺、器件与封装的全链路协同优化。依托这一技术体系，公司已形成兼具差异化性能、高集成度、小型化、低功耗特点的系列产品，构筑起具有特色工艺基底的高端产品线，为射频前端业务向高附加值领域深入拓展提供核心支撑。

上述能力的系统整合，不仅显著提升了产品的自主可控水平，更形成“资源平台领先、产品领先、成本领先、质量领先”的综合竞争优势。公司始终坚持以技术趋势与客户痛点为导向，围绕更高性能、更低功耗、更低成本等需求进行场景化资源储备，持续完善差异化、高端定制化、高度集成化产品体系。这一以工

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艺平台为根基、以能力整合为牵引的战略布局，正为公司抢占新兴市场、实现跨领域增长提供系统性的竞争力支撑。

（1）6英寸晶圆生产线

公司6英寸滤波器晶圆生产线针对特种材料工艺进行平台建设，已具备较为完整的产品生产制造实力。

报告期内，6英寸滤波器产线的产品品类已实现全面布局，具备双工器/四工器、单芯片多频段滤波器等分立器件的规模量产能力，同时集成自产滤波器的DiFEM、L-DiFEM、GPS、WiFi模组等产品成功导入多家品牌客户并持续放量，对滤波器工艺有高度要求的L-PAMiD产品亦从小批量出货顺利进入大规模交付阶段。

截至报告期末，6英寸晶圆生产线已实现单月15,000片的产能目标。通过芯卓资源平台实现的生产制造、工艺等能力成功在6英寸滤波器晶圆生产线上得到体现。

（2）12英寸晶圆生产线

公司以12英寸硅基技术平台生产线为基础，致力于异质材料及特种工艺的能力拓展。

报告期内，12英寸实现产能快速爬坡并步入稳定生产阶段，12英寸射频开关和低噪声放大器等产品已在第二代技术平台上完成多产品验证并实现稳定产出，并开启第三代技术平台的技术路径探究和技术研发工作。基于自有产线能力设计并产出的射频传导开关、天线调谐开关、低噪声放大器等及集成的相关模组等多样化产品已陆续通过客户的导入验证，终端产品基于自有产线的产出占比逐季度快速增长。

截至报告期末，公司12英寸生产线综合产能和利用率稳步提升，量产稳定。同时，关键技术平台实现从产品验证完成到稳定产出的转化，产线良率和产品良率均已达到行业第一梯队水平。未来公司将逐步强化多元化、特色化技术工艺资源的储备，加快先进架构技术平台与高性能产品的迭代更新，进一步夯实技术壁垒和巩固市场地位。

（3）先进封装生产线

公司高度重视技术创新与工艺布局，以前瞻性视野重点投资并构建了射频前端领域先进的封装工艺技术平台。依托于12英寸晶圆的异构集成平台，公司着力打造行业领先的模组化解决方案，以高效满足不同市场对下一代器件在性能提升、

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尺寸小型化及成本优化等方面的综合需求。

截至本报告期末，相关技术成果已在业务中取得实质性进展，部分采用先进封装技术的产品已实现规模出货；专为先进集成工艺打造的产线已成功实现从技术落地到规模化量产的闭环，为公司持续深化射频前端模组在小型化、低成本、高性能方向的产品开发奠定了坚实的基础。

（三）重要产品或技术进展

（1）全国产供应链L-PAMiD产品

作为业界首款实现全国产供应链的L-PAMiD模组，公司L-PAMiD系列产品（主集收发模组）凭借在集成度与性能上的双重突破，已成为驱动公司未来营收增长的“明珠型”产品。

该系列产品深度整合了公司自产的核心器件：依托6英寸晶圆产线自产的MAX-SAW滤波器，以及12英寸晶圆产线自产的射频开关、低噪声放大器，构建了扎实的“设计+工艺”壁垒。

基于这一优势，公司L-PAMiD产品系列正以前所未有的效率推进市场渗透，并已取得关键性商业化成果：

多方案覆盖，灵活应对需求：公司已推出支持多种主流架构的L-PAMiD解决方案，能够灵活满足不同品牌客户对前端方案的设计需求。

多客户突破，规模化交付：产品已在多家头部品牌客户成功完成导入，并已进入大规模批量出货阶段，充分验证了产品的高可靠性与大规模交付能力。

作为承载公司未来增长的核心引擎，L-PAMiD产品将持续依托自主供应链的快速迭代优势，在性能与灵活性上不断进化，加速推进国产射频模组的市场化进程，以前沿技术赋能客户。

（2）无线连接产品

公司坚持在移动通信与无线连接赛道深耕，通过持续加码研发投入，确保技术迭代步伐始终精准匹配市场需求演进。在WiFi无线连接领域，公司已成功卡位技术前沿。报告期内，WiFi7模组产品已实现规模化量产，并凭借性能优势在客户端保持快速增长态势。随着WiFi7技术的不断成熟，公司正夯实WiFi8产品的研发与商用基础。目前WiFi8产品研发进展顺利，有望在2026年量产。与此同时，公司也积极布局其他新一代无线连接协议（不同标准）产品，以拓展更广阔的市场空

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间。在蓝牙连接领域，公司的BT FEM模组产品表现稳健，报告期内保持持续、大规模的量产出货节奏，为公司贡献了稳定的营收来源。

（3）短距通信感知系统产品

公司积极打造基于短距通信感知一体的SoC芯片技术体系，布局短距离通信感知的系统解决方案和能力，在未来力争拓展到IoT、智能家居、健康监控、汽车电子等应用场景。产品主要包括低功耗蓝牙与星闪SLE芯片、车规超宽带UWB芯片等。目前低功耗物联网处理器芯片已完成新一轮产品标准的迭代，车规超宽带UWB芯片进入量产阶段。此外，公司深耕高效资源平台业务模式，结合芯卓资源平台的战略支撑和射频前端产品优势，构建面向场景的差异化产品矩阵能力，积极为星闪、BLE6.0、UWB等新兴的短距通感标准生态积累技术能力，助力短距离通信感知产品业务深入拓展。

报告期内，公司洞察诸多下游客户产品痛点并持续深度合作，获得客户高度认可。对应推出基于SoC芯片技术的MCU类定制产品已实现出货量快速增长阶段，该产品在客户端荣获年度科技创新奖。同时公司基于产品定制化合作方式已形成可复制的战略协作方式，力争服务于更多下游终端客户。

（4）基于SAW的覆膜封装工艺

公司长期深耕SAW滤波器射频模组领域，通过封装工艺迭代升级，进一步筑牢核心技术壁垒，强化市场竞争优势。覆膜封装工艺(SLM, Strip Lamination Module)作为公司重点突破的核心工艺之一，是对传统封装技术的优化与创新——该工艺省略了SAW裸片晶圆级空腔封装的步骤，在模组封装环节直接完成空腔成型与封装作业，具备高集成度、小型化、低成本的核心特质，是适配高端射频器件小型化、集成化发展趋势的先进芯片级封装技术。

依托研发团队在SAW滤波器产品领域多年的技术积淀与持续研发投入，公司目前已完全掌握SLM模组封装核心技术，已在L-PAMiD系列产品实现技术突破并大规模出货。相较于前期采用的分立SAW滤波器复用工艺及晶圆级封装工艺，覆膜封装工艺在产品性能与生产效益方面均展现出显著优势。

（四）特种工艺线的进展

（1）BCD工艺进展

BCD工艺作为一种复合型半导体制造工艺，核心是将双极型晶体管（Bipolar）、

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互补金属氧化物半导体（CMOS）和双扩散金属氧化物半导体（DMOS）三种器件结构集成于同一芯片，兼具双极型器件的高频、高增益特性、低功耗、高集成度、高压、大电流等能力，是适配高压、高精度、多功能器件的核心制造工艺。凭借研发团队在半导体复合工艺领域的长期技术钻研与经验积累，公司已逐步掌握BCD工艺核心技术，为产品多元化布局与高端化升级提供坚实技术保障。

(2) GaAs工艺进展

公司长期深耕化合物半导体射频器件领域，通过核心工艺研发迭代与技术创新，进一步筑牢核心技术壁垒，强化市场竞争优势。GaAs（砷化镓）半导体工艺是化合物半导体领域的关键工艺，是适配5G/6G射频前端、卫星互联等高端应用场景的关键半导体制造工艺。相较于传统硅基射频工艺及普通化合物半导体工艺，GaAs半导体工艺在高频性能、功率效率与抗干扰能力方面均展现出显著优势。依托研发团队在化合物半导体领域多年的技术积淀与持续研发投入，公司目前已突破并掌握相关工艺技术。

（3）异构集成工艺进展

异构集成（Heterogeneous Integration）作为后摩尔时代半导体产业发展的核心方向，其本质是通过系统级架构创新与先进集成技术，将不同材料、工艺及功能的异质单元在芯片或封装尺度进行一体化融合，该技术突破了单一芯片的物理与工艺极限，实现“超越单芯片”的系统级性能提升。目前，公司相关技术成果已在业务中取得实质性进展，先进集成工艺已实现技术落地和闭环，为未来光电共封等高集成度产品提供核心支撑。

（4）其他特种工艺进展

报告期内，公司持续加大高性能射频及半导体特色工艺的研发投入与产业化推进，在高端封装、高频材料及特色高频器件等关键工艺方向逐步实现突破与规模化应用，相关技术可广泛适配移动通信、智能终端、高频通信、高压模拟等领域。通过持续工艺迭代与技术平台创新，公司产品在集成度、性能、成本控制及可靠性方面形成显著竞争优势，进一步筑牢核心技术壁垒，为公司深耕高端市场、拓展多元化应用场景、实现长期稳健发展提供坚实支撑。

（五）专利诉讼进展

报告期内，公司已就韩国三项涉案专利提起无效宣告程序，并已就境内四项

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涉案专利向知识产权主管部门提起无效宣告程序。2026年1月，公司已收到国家知识产权局就国内四项涉案专利的无效审查决定，其中第ZL201680046210.1号、第ZL201680030389.1号、第ZL201580059165.9号发明专利均宣告专利全部无效；第ZL201480066958.9号发明专利宣告部分无效。

作为国内射频前端领域的创新企业，公司始终坚持自主创新与核心技术积累，将知识产权与公司战略紧密结合，建立有效运行的知识产权合规管理体系，并形成技术研发、专利布局与产业支撑的协同生态。截至2025年12月31日，公司已累计申请滤波器相关的国内专利217件，PCT国际申请16件，海外专利申请6件，其中公司滤波器相关专利针对器件结构、材料选择、拓扑设计、封装结构及工艺等多维度开展了布局保护，未来将随着公司产品的扩充而持续申请。

诉讼方面，（2025）沪73知民初59号、（2025）沪73知民初60号、（2025）沪73知民初61号三件案件原告已于2026年2月撤诉。面对知识产权纠纷，公司将继续保持积极应诉，依法依规采取有效措施维护公司和股东的合法权益。

（六）资本运作

为满足公司业务扩张与战略布局的资金需求，进一步优化资本结构、增强核心竞争力及可持续发展能力，公司于报告期内启动了向特定对象发行股票工作。截至报告期末，本项目已顺利通过交易所上市审核中心审核，并获得中国证券监督管理委员会同意注册的正式批复（证监许可〔2025〕2905号，批复日期2025年12月24日）。

截至报告披露日，公司已完成本项目的发行工作。本次定增的顺利实施将为公司后续业务拓展提供坚实的资本支撑，助力公司持续优化资本运作，加速实现长期战略目标。

（七）数字化管理和建设

公司持续完善信息安全体系，多措并举保障其顺利运行并持续优化，保障公司信息设备和数据安全。报告期内，公司将信息化管理覆盖产品研发、生产制造、质量管理、销售等各个环节中，从而起到信息共享、数据协同的作用，确保数据的准确性和可靠性，提高人员工作效率和准确率。公司正不断通过优化财务、运营、销售、项目等各部门的业务流程和资源，整合资源配置，加强AI技术在日常业务中的普及，进行可视化过程管理和精细化成本追踪，逐步为降本、增效提供

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可靠的数字化支撑。

报告期内，公司进行全面的科学化成本管理和建设，顺利通过自建工厂的汽车行业质量管理体系认证IATF16949 LOC认证，给资源平台带来持续创新驱动。

（八）环保、安全生产

环境保护方面，公司高度重视环境保护工作，积极进行安全环保风险识别、体系制度完善等各项工作，定期对周边环境进行监测，严格遵守环境风险防范要求。报告期内，设立子公司芯卓智水（无锡）环境有限公司，并获得“绿色工厂”的资质认证。

安全管理方面，公司对生产过程中会涉及的化学品实施全生命周期安全管理，制定并完善相关制度文件，规范管理流程，确保化学品管控有章可循。与此同时，公司设置了多项安全应急设施，定期开展安全生产专项检查，通过隐患排查确保闭环改善。报告期内，公司通过“安全月”、“消防月”、应急演练、举办主题培训与安全文化活动等方式，着重提高全员安全意识和应急技能，培养全员安全素养，确保各项安全管理措施得到有效落实。

三、2026年度工作重点

2026年是公司以Fab-Lite核心优势为支点，撬动战略升级的关键一年。公司管理团队将秉持战略定力，恪尽职守，围绕以下两方面重点部署全年工作：

（一）深化射频前端核心优势，以自主工艺引领全球重要参与者地位

2026年，公司将坚持技术创新驱动，依托芯卓平台持续深化Fab-Lite战略，牢牢掌握核心工艺自主研发与制造能力。通过完善从芯片设计、晶圆制造、关键材料到封装测试的全链条一体化布局，实现核心环节自主可控，构筑难以复制的长期竞争壁垒。在技术实现层面，公司将重点提升高性能SOI、覆膜封装等工艺的成熟度与规模化应用能力，持续深化核心工艺研发以构建全方位的工艺技术体系。产品方面，坚持以客户价值为中心，提供高度定制化、高集成度、低功耗、高效率的差异化射频前端解决方案，赋能客户与产业升级。市场拓展上，以成熟业务为根基，积极切入高增长新兴应用场景，致力于成为全球射频前端领域的重要参与者与规则引导者。

（二）发挥芯卓平台赋能价值，前瞻布局多元化未来赛道

公司立足芯卓整体战略资源平台，坚持差异化发展定位，通过整合技术、人

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才、供应链等优质资源，实现协同发展与资源共享。一方面，依托芯卓平台的技术与产能优势，深度赋能公司现有产品线的研发与量产，持续提升产品竞争力；另一方面，强化以AI为核心的技术驱动战略，加大前沿技术研发投入，积极探索光通信、卫星通信、低空经济、AI终端等未来潜力领域，不断拓宽成长空间与发展边界。通过打造稀缺性、特色化的核心能力与资源体系，构建“平台赋能+多元发展”的良好格局，推动公司在全球通信与感知领域实现更高质量、更可持续的发展。

四、总结

面对半导体行业技术迭代加速与市场格局重构的双重挑战，公司将紧扣“技术扎根、壁垒重构、多元拓界、价值赋能”的核心战略，聚焦主业、深耕细作，深化“设计+工艺”协同创新、强化自主可控韧性，并聚焦通信感知以一体化资源平台引领价值升级。

江苏卓胜微电子股份有限公司

总经理：许志翰

2026年4月28日